HonWay Materials | Đối tác đánh bóng chuyên biệt cho quy trình của bạn

Vật liệu composite nền kim loại đồng-kim cương tùy chỉnh (Cu-Diamond MMC)

Mảnh nền đóng gói chip AI tối thượng kết hợp “dẫn nhiệt cực cao của kim cương” và “độ nở thấp của đồng kim loại”

Trong kỷ nguyên tiêu thụ điện năng của tủ rack AI tăng vọt, tản nhiệt đồng nguyên chất truyền thống đã đạt đến giới hạn vật lý.

HonWay Materials cung cấp vật liệu composite đồng-kim cương (Cu-Diamond), sử dụng công nghệ thiêu kết ép nhiệt hoặc thâm nhập cao cấp để kết hợp hoàn hảo các hạt vi mô kim cương với đồng kim loại. Nó không chỉ sở hữu độ dẫn nhiệt cực cao lên tới 500~700 W/m·K (gấp 1.5~2 lần đồng nguyên chất), mà còn có hệ số giãn nở nhiệt (CTE) khớp hoàn hảo với chip bán dẫn, là giải pháp vàng để giải quyết ứng suất nhiệt và điểm nóng tức thời trong các linh kiện công suất cao AI thế hệ tiếp theo (như CPU, GPU, GaN).

【Ưu điểm cốt lõi】

• • • Vượt qua giới hạn đồng nguyên chất: Độ dẫn nhiệt cực cao, làm dịu tức thì các điểm nóng cục bộ của chip AI như một miếng bọt biển hấp thụ nhiệt.

    • Khớp nhiệt hoàn hảo (CTE thấp): Hệ số giãn nở gần với silicon và silicon cacbua, giải quyết triệt để nỗi đau đóng gói về cong vênh, nứt vỡ chip do thay đổi nóng lạnh thất thường.

    • Khả năng gia công vượt trội: Giữ lại đặc tính gia công kim loại, có thể cắt chính xác, đục lỗ và mạ điện, giảm rào cản sản xuất hàng loạt.

    • Giải pháp hiệu quả chi phí cao: So với wafer kim cương nguyên chất đắt đỏ, chúng tôi cung cấp giải pháp tản nhiệt tối thượng có tính cạnh tranh nhất cho sản xuất hàng loạt.

【Lĩnh vực ứng dụng cốt lõi】

• • • Tấm tản nhiệt (Heat Spreaders) cho máy chủ AI và 5G

      Cung cấp lớp khuếch tán nhiệt hàng đầu chuyên biệt cho GPU và CPU công suất cao, gắn trực tiếp vào bare die, giảm đáng kể sự gia tăng nhiệt độ bên trong.

    • Công nghệ đóng gói tiên tiến (Xếp chồng 2.5D / 3D)

      Đóng vai trò là mảnh nền giao diện nhiệt cao cấp, cung cấp đường truyền tản nhiệt hiệu quả và đồng đều trong không gian nhỏ tích hợp mật độ cao.

    • Tần số vô tuyến (RF) công suất lớn và Diode Laser (LD)

      Áp dụng cho các linh kiện GaN và laser cấp cao trong trạm phát sóng 5G/6G, đảm bảo không suy giảm quang học, không giảm tần số ở công suất cao.

    • Module công suất xe điện (IGBT / SiC)

      Dùng cho bộ biến tần và module công suất của hệ thống động lực cốt lõi, nâng cao hiệu suất chuyển đổi năng lượng và đảm bảo độ tin cậy trong điều kiện làm việc cực hạn.