Honway| Đối Tác Đánh Bóng Chuyên Biệt Cho Quy Trình Sản Xuất Của Bạn

Vật liệu composite nền kim loại đồng-kim cương (Cu-Diamond MMC) được thiết kế riêng

Giải pháp tối ưu cho đế đóng gói chip AI: Kết hợp “Kim cương có độ dẫn nhiệt siêu cao” với “Đồng có độ giãn nở thấp”
Trong bối cảnh mức tiêu thụ điện năng của các hệ thống máy chủ AI đang tăng vọt, các bộ tản nhiệt bằng đồng nguyên chất truyền thống đã chạm tới giới hạn vật lý của chúng.
Hongwei Industrial cung cấp vật liệu composite đồng-kim cương (Cu-Diamond), được tạo ra bằng cách kết hợp hoàn hảo các hạt kim cương với đồng thông qua công nghệ thiêu kết ép nóng hoặc công nghệ thẩm thấu tiên tiến. Vật liệu này không chỉ sở hữu độ dẫn nhiệt siêu cao từ 500–700 W/m·K — gấp 1,5 đến 2 lần so với đồng nguyên chất — mà còn có hệ số giãn nở nhiệt (CTE) tương thích hoàn hảo với các chip bán dẫn. Đây chính là giải pháp lý tưởng để giải quyết vấn đề ứng suất nhiệt và các điểm nóng cục bộ tức thời (transient hotspots) trên các linh kiện AI công suất cao thế hệ mới như CPU, GPU và thiết bị GaN.

【Ưu điểm chính】

• Vượt qua giới hạn của đồng nguyên chất: Độ dẫn nhiệt cực cao giúp tản nhiệt tức thì tại các điểm nóng cục bộ trên chip AI, hoạt động hiệu quả như một “miếng bọt biển” hấp thụ nhiệt.
• Khả năng tương thích nhiệt hoàn hảo (hệ số giãn nở nhiệt – CTE thấp): Hệ số giãn nở nhiệt gần tương đương với silicon và silicon carbide, giúp loại bỏ hiệu quả các vấn đề trong quá trình đóng gói như cong vênh hay nứt vỡ chip do chu kỳ nhiệt.
• Khả năng gia công tuyệt vời: Duy trì các đặc tính gia công giống như kim loại—cho phép cắt, khoan và mạ chính xác—từ đó giảm bớt rào cản đối với việc sản xuất hàng loạt.
• Giải pháp tối ưu về chi phí: Mang lại giải pháp quản lý nhiệt vượt trội và có tính cạnh tranh cao cho sản xuất hàng loạt, đặc biệt khi so sánh với chi phí đắt đỏ của các tấm wafer kim cương nguyên chất.

[Phạm vi ứng dụng đa dạng]

• Bộ tản nhiệt cho máy chủ AI và 5G
• Đóng vai trò là lớp tản nhiệt chính cho các GPU và CPU công suất cao; được gắn trực tiếp lên bề mặt chip trần (bare die) để giảm đáng kể sự gia tăng nhiệt độ bên trong.
• Đóng gói tiên tiến (Xếp chồng 2.5D / 3D)
• Đóng vai trò là đế dẫn nhiệt cao cấp, tạo ra các đường dẫn nhiệt hiệu quả và đồng đều trong không gian hạn chế của các hệ thống tích hợp mật độ cao.
• RF công suất cao và Diode Laser (LD)
• Được sử dụng cùng với các linh kiện GaN và laser cao cấp trong trạm gốc 5G/6G nhằm ngăn ngừa tình trạng suy giảm hiệu suất quang học và giảm tốc độ hoạt động do giới hạn tần số (frequency throttling) khi vận hành ở công suất cao.
• Mô-đun công suất xe điện (IGBT / SiC)
• Được ứng dụng trong bộ biến tần và mô-đun công suất thuộc hệ thống truyền động cốt lõi nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi năng lượng và đảm bảo độ tin cậy trong các điều kiện vận hành khắc nghiệt.