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Materiales compuestos de matriz metálica de cobre-diamante personalizados (Cu-Diamond MMC)

El sustrato definitivo para el empaquetado de chips de IA, que combina la «ultraalta conductividad térmica del diamante» y la «baja expansión del cobre metálico»

En una era en la que el consumo de energía en los gabinetes de IA se dispara, los disipadores de calor de cobre puro tradicionales han alcanzado sus límites físicos.

HonWay Materials ofrece materiales compuestos de cobre-diamante (Cu-Diamond), utilizando tecnología de sinterización por prensado en caliente o infiltración de alta tecnología para combinar perfectamente micropartículas de diamante con cobre metálico. No solo posee una ultraalta conductividad térmica de 500~700 W/m·K (entre 1.5 y 2 veces la del cobre puro), sino que también cuenta con un coeficiente de expansión térmica (CTE) perfectamente adaptado a los chips semiconductores, representando la solución definitiva para mitigar el estrés térmico y eliminar los puntos calientes instantáneos en componentes de IA de alta potencia de próxima generación (como CPU, GPU, GaN).

【Ventajas clave】

• • • Superando los límites del cobre puro: Ultraalta conductividad térmica que, como una esponja térmica, disipa de manera instantánea los puntos calientes locales de los chips de IA.

    • Ajuste térmico perfecto (bajo CTE): El coeficiente de expansión es cercano al del silicio y carburo de silicio, resolviendo por completo el problema del alabeo y agrietamiento de los chips debido a la alternancia de calor y frío en el empaquetado.

    • Excelente maquinabilidad:Conserva las características del procesamiento de metales, permitiendo corte de precisión, perforado y galvanizado, lo que reduce las barreras para la producción en masa.

    • Solución de alta relación costo-beneficio: En comparación con las costosas obleas de diamante puro, ofrece la solución de disipación de calor definitiva más competitiva para la producción a gran escala.

【Campos de aplicación clave】

• • • Disipadores de calor (Heat Spreaders) para servidores de IA y 5G

      Diseñado específicamente para proporcionar la primera capa de difusión térmica para GPU y CPU de alto consumo de energía, adhiriéndose directamente a la matriz desnuda (Bare Die) y reduciendo significativamente el aumento de temperatura interna.

    • Tecnologías de empaquetado avanzado (apilamiento 2.5D / 3D)

      Como sustrato de interfaz térmica avanzada, proporciona una ruta de disipación de calor eficiente y uniforme en espacios reducidos de alta densidad de integración.

    • Radiofrecuencia (RF) de alta potencia y diodos láser (LD)

      Aplicado en componentes de GaN y láseres avanzados para estaciones base 5G/6G, garantizando que no haya degradación óptica ni reducción de frecuencia a alta potencia.

    • Módulos de potencia para vehículos eléctricos (IGBT / SiC)

      Utilizado en inversores y módulos de potencia de sistemas de propulsión centrales, mejorando la eficiencia de conversión de energía y garantizando la confiabilidad en condiciones de trabajo extremas.