Diament domieszkowany borem / Podłoże z diamentu domieszkowanego borem

【Materiał doskonały do półprzewodników nowej generacji i zaawansowanych zastosowań elektrochemicznych】 Dzięki zastosowaniu zaawansowanego procesu domieszkowania borem, izolujący diament jest przekształcany w wysoce przewodzący półprzewodnik typu p.
Wyróżniający się wyjątkowo szerokim zakresem pracy elektrochemicznej oraz niezrównaną odpornością na korozję, materiał ten stanowi kluczowy element w systemach zarządzania ciepłem urządzeń dużej mocy, procesach oczyszczania trudnych ścieków przemysłowych (technologie AOP) oraz w wysoce czułych czujnikach elektrochemicznych.
- Bardzo wysoka stabilność: odporność na silne kwasy i zasady oraz na wysokie temperatury i ciśnienia; brak uwalniania jonów metali.
- Wyjątkowo szeroki zakres operacyjny: wydajność generowania rodników hydroksylowych (·OH) przewyższa osiągi wszystkich innych elektrod.
- Doskonałe zarządzanie termiczne: ultra-wysoka przewodność cieplna, eliminująca wąskie gardła w odprowadzaniu ciepła z układów scalonych dużej mocy.

Boron-Doped Diamond Electrode (BDDE) / Single crystal boron-doped diamond substrate

Cechuje się wyjątkowo szerokim zakresem potencjałów elektrochemicznych, wynikającym z bardzo wysokich nadpotencjałów wydzielania zarówno wodoru, jak i tlenu w roztworach wodnych; materiał ten wytrzymuje ekstremalnie wysokie napięcia bez ulegania hydrolizie i wykazuje silne właściwości utleniające, nieosiągalne dla tradycyjnych elektrod metalowych, takich jak platyna czy tlenek irydu.
Charakteryzuje się wyjątkową stabilnością fizyczną i chemiczną, przejmując od diamentu jego ekstremalną twardość oraz odporność na korozję. W warunkach pracy w skrajnie agresywnym środowisku – na przykład w kontakcie z silnymi kwasami, zasadami czy silnymi utleniaczami – korpus elektrody praktycznie nie ulega zużyciu, zapewnia wyjątkowo długi okres eksploatacji i nie powoduje wtórnych zanieczyszczeń.
Urządzenie, charakteryzujące się bardzo niskim prądem tła i wysoką czułością, odznacza się wyjątkowo małą pojemnością powierzchniową; znacząco ogranicza to zakłócenia szumowe podczas detekcji elektrochemicznej, a tym samym istotnie zwiększa czułość i dokładność w analizie śladowej oraz w czujnikach biomedycznych.
Dzięki doskonałej przewodności cieplnej materiał ten – zastosowany jako podłoże – zapewnia wielokrotnie wyższą efektywność odprowadzania ciepła niż miedź, stanowiąc idealne rozwiązanie w zakresie odprowadzania ciepła dla przyrządów półprzewodnikowych trzeciej i czwartej generacji (GaN/SiC).