หน้านิทรรศการ

HonWay Materials | พันธมิตรผู้เชี่ยวชาญด้านการขัดเงาสำหรับกระบวนการผลิตของคุณ

  • Taiwan International Hardware & Tool Expo x Hardware Industry Exhibition
  • วันที่: 20 – 22 ตุลาคม 2026 (อ. – พฤ.) เวลา 09:00 – 17:00 น.
  • สถานที่: Taichung International Exhibition Center ชั้น 4
  • หมายเลขบูธ: G407
  • งานแสดงเครื่องจักรกลและเครื่องมือกลนานาชาติญี่ปุ่น ครั้งที่ 33 (JIMTOF)
  • วันที่: 26 – 31 ตุลาคม 2026 (จ. – ส.) เวลา 10:00 – 17:00 น. (วันสุดท้ายเปิดถึง 16:00 น.)
  • สถานที่: Tokyo Big Sight, West Hall 4 (ชั้น 4 อาคารจัดแสดงฝั่งตะวันตก)
  • หมายเลขบูธ: W4002

    เพื่อตอบสนองต่อกระแสใหม่ของ “การระบายความร้อนด้วยเพชร” ที่ยักษ์ใหญ่ด้านเทคโนโลยีระดับโลกกำลังให้ความสนใจ HonWay Materials พร้อมสนับสนุนชิป AI อย่างรอบด้าน ตั้งแต่เวเฟอร์เพชร, ทองแดง-เพชร ไปจนถึงไมโครพาวเดอร์สำคัญ เพื่อก้าวข้ามกำแพงความร้อนในยุคการระบายความร้อนด้วยของเหลว

    ขอเชิญแวะชมบูธของเรา เพื่อสัมผัสเทคโนโลยีเพชรอันล้ำสมัยว่าจะเข้ากันได้อย่างลงตัวกับสถาปัตยกรรม GPU ล่าสุด และปลดปล่อยพลังการคำนวณขั้นสูงสุดของ AIได้อย่างไร!

ข้อมูลการติดต่อ:

โทรTel: +886-7-2231058
Fax : +886-7-2230658
E-mail[email protected]
เวลาจัดแสดงนิทรรศการ

Taiwan International Hardware & Tool Expo x Hardware Industry Exhibition

10/20-22 9:00am-5:00pm

งานแสดงเครื่องจักรกลและเครื่องมือกลนานาชาติญี่ปุ่น ครั้งที่ 33 (JIMTOF)

10/26-30 10:00am-5:00pm

10/3110:00am-4:00pm

หน้านิทรรศการ
หน้านิทรรศการ

ไฮไลต์งานแสดงของ Honway Industrial

宏崴實業電子級 CVD 鑽石散熱基板與鑽石晶圓產品實拍高功率散熱方案

แผ่นฐานเพชร CVD ตามสั่ง / เวเฟอร์เพชร

ก้าวสู่กระแสใหม่แห่ง “การระบายความร้อนด้วยเพชร” ยุคถัดไป ตอบสนองความต้องการด้านการระบายความร้อนขั้นสูงสุดและการแพกเกจจิงระดับสูงในยุคพลังการคำนวณ AI
【ข้อได้เปรียบหลัก】
  • การระบายความร้อนขั้นสูงสุด: มีนำความร้อนสูงที่สุดในบรรดาวัสดุที่รู้จัก สามารถกระจายจุดความร้อนสะสม (Hotspots) ของชิปพลังงานสูงได้อย่างรวดเร็ว

  • การฉนวนที่สมบูรณ์แบบ: มีคุณสมบัติเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง เป็นวัสดุบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงสุดเพียงชนิดเดียวที่สามารถติดลงบนชิปเปลือย (Bare Die) และวงจรความละเอียดสูงได้โดยตรง (คงคุณสมบัติอื่นๆ เช่น ความทนทานต่อการสึกหรอ และออปติกเกรดพรีเมียมไว้…)

【ขอบเขตการใช้งานที่ครอบคลุม】
  • พลังการคำนวณ AI และการแพกเกจจิงเซมิคอนดักเตอร์ (จุดโฟกัสหลักของตลาด)

    • การระบายความร้อนด้วยเพชรยุคใหม่ (Diamond Cooling): เพื่อรับมือกับการพุ่งสูงขึ้นของการใช้วิธีการใช้พลังงานในเซิร์ฟเวอร์ AI ยุคถัดไปและศูนย์ข้อมูลขนาดใหญ่ แผ่นฐานเพชรจึงกลายเป็นเทคโนโลยีขั้นสูงที่สำคัญในการก้าวข้ามกำแพงความร้อน (Thermal Wall) ของพลังการคำนวณ AI

    • เทคโนโลยีการบรรจุภัณฑ์ระดับสูง: รองรับการซ้อนกันแบบ 2.5D/3D, การระบายความร้อนโดยรอบ HBM (หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง) รวมถึงชั้นกระจายความร้อนสำหรับผลึกกำลังสูง เช่น GaN (แกลเลียมไนไตรด์) หรือ SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ได้อย่างสมบูรณ์แบบ

    • แผ่นฐานคลื่นความถี่สูง RF: ผสมผสานการเป็นฉนวนไฟฟ้าสูงและการนำความร้อนสูง ออกแบบมาเป็นพิเศษสำหรับการสื่อสารความถี่สูง 5G/6G และอุปกรณ์ความถี่วิทยุ (RF)

หน้านิทรรศการ

ผงเพชรระดับไมครอนสั่งทำพิเศษความบริสุทธิ์สูง

อนุภาคสำคัญที่ขับเคลื่อนการระบายความร้อนด้วยเพชรยุคใหม่และการแปรรูปที่มีความแม่นยำสูงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
เพื่อรับมือกับพลังการคำนวณ AI ผงเพชรระดับไมครอนได้กลายเป็นทรัพยากรเชิงยุทธศาสตร์ที่สำคัญในการก้าวข้ามขีดจำกัดด้านการระบายความร้อนและการทำแผ่นเวเฟอร์ให้เรียบ (CMP)
【ข้อได้เปรียบหลัก】
  • ความบริสุทธิ์สูงมาก: ให้บริการผงเพชรระดับไมครอนสั่งทำพิเศษที่มีความบริสุทธิ์สูง ขนาดอนุภาคแม่นยำ และมีการกระจายตัวสูง

  • สารเติมแต่งนำความร้อนขั้นสูงสุด: คงคุณสมบัติการนำความร้อนขั้นสูงสุดของเพชรไว้ เป็นสารเติมแต่งอนินทรีย์ที่ดีที่สุดสำหรับวัสดุระบายความร้อนยุคใหม่

【ขอบเขตการใช้งานหลัก】
  • กระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับสูง

    • การขัดเงาเซมิคอนดักเตอร์ยุคที่สาม: ให้บริการการขัดเงาที่มีความแม่นยำสูงเป็นพิเศษสำหรับ SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์), GaN (แกลเลียมไนไตรด์) และเวเฟอร์เพชรโดยเฉพาะ

    • วัตถุดิบปรับแต่งสำหรับ CMP: ความแข็งแกร่งสูง ทนต่อการสึกหรอ ยืดอายุการใช้งานของวัสดุสิ้นเปลืองในกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ได้อย่างมาก

    • วัสดุระบายความร้อน AI ยุคใหม่ (TIMs): สารเติมแต่งนำความร้อนสูงพิเศษ ผสมลงในซิลิโคลนหรือเรซิน เพื่อเตรียมเป็นแผ่นระบายความร้อนขั้นสูงสุดที่จำเป็นสำหรับชิป AI พลังงานสูงและเซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล

    • อุตสาหกรรมแม่นยำและออปติก: การขัดเงาออปติกระดับสูง การเจียระไนความแม่นยำสูงพิเศษสำหรับแผ่นฐานแซฟไฟร์ หน้าต่างเลเซอร์ และเลนส์ระดับสูง

    • การเคลือบผิวเครื่องมือตัดแม่นยำ: ชั้นเคลือบไฟฟ้าทนการสึกหรอสำหรับดอกสว่านขนาดเล็กและเครื่องมือตัดแม่นยำ ยืดอายุการใช้งานของเครื่องมือเพิ่มขึ้นเป็นเท่าตัว

boron-doped-diamond-bdd-substrate-chips.png

เพชรโดปโบรอน CVD สั่งทำพิเศษ (Boron-Doped Diamond, BDD)

สุดยอดวัสดุในอุดมคติที่ผสมผสานคุณสมบัติ “การระบายความร้อนขั้นสูงสุด” และ “สารกึ่งตัวนำช่องว่างแถบพลังงานกว้างพิเศษ” (Ultra-Wide Bandgap Semiconductor)
ผ่านการโดปธาตุ “โบรอน (Boron)” อย่างแม่นยำในระหว่างกระบวนการเติบโตของเพชร CVD ทำให้เพชรที่เดิมเป็นฉนวนเปลี่ยนเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p ที่มีความนำไฟฟ้าสูงและมีช่องว่างแถบพลังงานกว้างพิเศษ ไม่เพียงแต่สามารถระบายความร้อนได้อย่างยอดเยี่ยมเหมือนเพชรทั่วไปเท่านั้น แต่ยังสามารถนำไปผลิตเป็นชิ้นส่วนชิปที่ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสูงและความถี่สูงได้โดยตรง เป็นโซลูชันขั้นสูงสุดสำหรับการก้าวข้ามสภาพแวดล้อมสุดขั้วและขีดจำกัดของพลังการคำนวณ AI
【ข้อได้เปรียบหลัก】
    • การรวมการนำไฟฟ้าและการระบายความร้อนไว้ในหนึ่งเดียว: ในขณะที่ยังคงการนำความร้อนที่สูงมากของเพชรไว้ ยังได้รับความนำไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยมอีกด้วย

    • เหนือกว่า SiC / GaN: มีช่องว่างแถบพลังงานกว้างพิเศษและสนามไฟฟ้าพังทลาย (Breakdown Field) สูงมาก สามารถทนต่อความหนาแน่นพาวเวอร์ขั้นสูงสุดได้

    • คุณสมบัติทางเคมีไฟฟ้าชั้นเลิศ: มีหน้าต่างเคมีไฟฟ้า (Electrochemical Window) ที่กว้างที่สุดในบรรดาวัสดุที่รู้จัก และมีความทนทานต่อการกัดกร่อนสูง

    • ความทนทานต่อสภาพแวดล้อมสุดขั้ว: ทนความร้อนสูง ต่อต้านรังสี ทนกรดและด่างเข้มข้น แสดงความเสถียรในระยะยาวภายใต้สภาวะการทำงานที่รุนแรง

【ขอบเขตการใช้งานหลัก】
    • สารกึ่งตัวนำพลังงานสูงพิเศษยุคใหม่ (AI และยานยนต์ไฟฟ้า)

      ผลิตชิปจัดการพลังงานและอินเวอร์เตอร์สำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI ที่ทนทานต่อแรงดันไฟฟ้าสูงพิเศษและกระแสไฟสูงได้โดยตรง ช่วยลดการเกิดความร้อนจากต้นทางและระบายความร้อนได้อย่างรวดเร็ว

    • ชิ้นส่วนความถี่วิทยุ (RF) ความถี่สูงและพลังงานสูง (5G / 6G / ดาวเทียม)

      ประยุกต์ใช้ในชิ้นส่วนไมโครเวฟความถี่สูงสำหรับการสื่อสารสถานีฐานและดาวเทียม แก้ปัญหาขีดจำกัดการระบายความร้อนขั้นสูงสุดในการส่งสัญญาณความถี่สูงได้อย่างสมบูรณ์แบบ

    • การบำบัดน้ำด้วยวิธีทางเคมีไฟฟ้าระดับสูง (ขั้วไฟฟ้า BDD)

      ในฐานะวัสดุขั้วไฟฟ้าขั้นสูงสุด ย่อยสลายน้ำเสียพิษร้ายแรงและย่อยสลายยากจากโรงงานเซมิคอนดักเตอร์และโรงงานเคมีได้อย่างมีประสิทธิภาพสูง (เช่น PFAS, COD)

    • เซนเซอร์ชีวภาพ (Bio-sensors)

      ผสมผสานความเข้ากันได้ทางชีวภาพและการนำไฟฟ้า ใช้สำหรับผลิตเซนเซอร์ตรวจวัดทางเคมีไฟฟ้าแบบเรียลไทม์ที่มีความแม่นยำสูงภายในร่างกายมนุษย์

หน้านิทรรศการ

วัสดุคอมโพสิตฐานโลหะทองแดง-เพชรแบบสั่งทำพิเศษ (Cu-Diamond MMC)

สุดยอดแผ่นฐานรองรับการแพกเกจจิงชิป AI ที่รวม “การนำความร้อนสูงพิเศษของเพชร” และ “การขยายตัวต่ำของทองแดง” เข้าไว้ด้วยกัน
ในยุคที่การใช้วิธีการใช้พลังงานในตู้แร็ค AI พุ่งสูงขึ้น ฮีตซิงก์ทองแดงบริสุทธิ์แบบดั้งเดิมได้บรรลุขีดจำกัดทางกายภาพแล้ว
HonWay Materials นำเสนอวัสดุคอมโพสิตทองแดง-เพชร (Cu-Diamond) โดยใช้เทคโนโลยีการอัดความร้อนแบบซินเทอร์หรือเทคโนโลยีการแทรกซึมขั้นสูง เพื่อผสมผสานอนุภาคเพชรและโลหะทองแดงเข้าด้วยกันได้อย่างสมบูรณ์แบบ ไม่เพียงแต่มีความสามารถในการนำความร้อนสูงพิเศษถึง 500~700 W/m·K (เป็น 1.5~2 เท่าของทองแดงบริสุทธิ์) แต่ยังมีค่าสัมพฤทธิ์การขยายตัวทางความร้อน (CTE) ที่เข้ากันได้อย่างสมบูรณ์แบบกับชิปเซมิคอนดักเตอร์ จึงเป็นโซลูชันทองคำสำหรับการแก้ปัญหาความเค้นทางความร้อนและจุดความร้อนสะสมชั่วขณะในอุปกรณ์ AI พลังงานสูงยุคใหม่ (เช่น CPU, GPU, GaN)
【ข้อได้เปรียบหลัก】
      • ก้าวข้ามขีดจำกัดของทองแดงบริสุทธิ์: ค่าการนำความร้อนสูงพิเศษ กระจายจุดความร้อนสะสมเฉพาะจุดของชิป AI ได้อย่างรวดเร็วเสมือนฟองน้ำซับความร้อน

      • การจับคู่ทางความร้อนที่สมบูรณ์แบบ (CTE ต่ำ): สัมพฤทธิ์การขยายตัวใกล้เคียงกับซิลิคอนและซิลิคอนคาร์ไบด์ แก้ปัญหาความเจ็บปวดในการแพกเกจจิงเรื่องชิปบิดงอหรือแตกร้าวเนื่องจากการสลับความร้อนและความเย็นได้อย่างสิ้นเชิง

      • ความสามารถในการขึ้นรูปที่ยอดเยี่ยม: คงคุณสมบัติการแปรรูปโลหะไว้ สามารถตัด ตัดแต่งรู และชุบด้วยไฟฟ้าได้อย่างแม่นยำ ลดอุปสรรคในการผลิตจำนวนมาก

      • โซลูชันที่คุ้มค่าสูง: เมื่อเปรียบเทียบกับเวเฟอร์เพชรบริสุทธิ์ที่มีราคาสูง เรานำเสนอโซลูชันการระบายความร้อนขั้นสูงสุดที่มีการแข่งขันสูงที่สุดสำหรับการผลิตจำนวนมาก

【ขอบเขตการใช้งานหลัก】
      • แผ่นระบายความร้อน (Heat Spreaders) สำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI และ 5G

        ออกแบบมาเป็นพิเศษเพื่อเป็นชั้นกระจายความร้อนด่านแรกสำหรับ GPU และ CPU พลังงานสูง ติดโดยตรงกับชิปเปลือย (Bare Die) ช่วยลดการสะสมความร้อนภายในได้อย่างมีนัยสำคัญ

      • เทคโนโลยีการบรรจุภัณฑ์ระดับสูง (การซ้อนกันแบบ 2.5D / 3D)

        ในฐานะแผ่นฐานอินเทอร์เฟซความร้อนระดับสูง ให้เส้นทางการระบายความร้อนที่มีประสิทธิภาพและสม่ำเสมอภายในพื้นที่ขนาดเล็กที่มีการรวมความหนาแน่นสูง

      • คลื่นความถี่วิทยุ (RF) พลังงานสูงและเลเซอร์ไดโอด (LD)

        นำไปใช้ในชิ้นส่วน GaN และเลเซอร์ระดับสูงสำหรับสถานีฐาน 5G/6G เพื่อให้มั่นใจว่าไม่มีการเสื่อมของแสงหรือการลดความถี่ภายใต้พลังงานสูง

      • โมดูลพลังงานสำหรับยานยนต์ไฟฟ้า (IGBT / SiC)

        ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และโมดูลพลังงานในระบบขับเคลื่อนหลัก เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการแปลงพลังงานและรับประกันความน่าเชื่อถือในสภาวะการทำงานสุดขั้ว

เครื่องขัดเงาความแม่นยำสูงพิเศษ Meta Polishing AS-4100 และ AS-5190 จาก Hung Wei Industrial: ระบบปรับพื้นผิวด้วยกระบวนการทางเคมีและเชิงกลที่มีความแม่นยำสูงพิเศษสำหรับแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ เซมิคอนดักเตอร์แบบผสม และวัสดุพื้นผิวขั้นสูง ซึ่งท้าทายความหยาบของพื้นผิวในระดับนาโนเมตรและอังสตรอม (Ra)

การขัดเงาความแม่นยำสูงพิเศษคือหัวใจของอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ (Meta Polishing)

รุ่น: AS-4100 , AS-5190

การขัดเงาความแม่นยำสูงพิเศษมีความสำคัญอย่างไรในอุตสาหกรรมการผลิต? ขอบเขตการใช้งานสามารถอธิบายได้โดยตรง: การผลิตวงจรรวม (IC), เครื่องมือแพทย์, ชิ้นส่วนยานยนต์, อุปกรณ์ดิจิทัล, แม่พิมพ์แม่นยำ, แบริ่งประเภทต่างๆ และอุปกรณ์การบินและอวกาศ

ในฐานะกระบวนการสังเคราะห์ที่มีข้อกำหนดทางเทคนิคสูงมาก การขัดเงาความแม่นยำสูงพิเศษจะต้องประกอบด้วยอุปกรณ์และวัสดุ (น้ำยาขัดเงา/สลัก) ซึ่งทั้งสองสิ่งนี้ขาดไม่ได้

【ข้อได้เปรียบหลัก】
        • สามารถทำการขัดเงาความแม่นยำสูงพิเศษบนพื้นผิวรูปแบบอิสระ (Freeform Surfaces) ได้

        • พื้นผิวยังคงไร้รอยขัดเงาแม้ส่องภายใต้กล้องจุลทรรศน์ขยาย 100 เท่า

        • สามารถลดความขรุขระของพื้นผิวได้อย่างมีประสิทธิภาพ และควบคุมค่า Ra ได้

        • ลดค่าความลอนของพื้นผิว (ค่า Wa) ได้อย่างมีประสิทธิภาพ

        • สามารถรักษาความแม่นยำของรูปทรงชิ้นงานหลังการขัดเงาได้อย่างดีเยี่ยม

        • เหมาะสำหรับวัสดุหลากหลายประเภท เช่น นิกเกิลไร้สายไฟ (Electroless Nickel), ทองแดง, อะลูมิเนียม, เหล็กทังสเตน และเหล็กกล้าทำแม่พิมพ์

หน้านิทรรศการ

โซลูชันการขัดเงาแบบละเอียดพิเศษ: กุญแจสำคัญสู่ความแม่นยำระดับนาโนเมตร

ใบหน้า วัสดุที่บดยาก และ โลหะซุปเปอร์ฮาร์ด สำหรับชิ้นงานที่ต้องการการขัดเงาอย่างเข้มงวด Hung Wei มีวัสดุสิ้นเปลืองสำหรับการเจียรและการขัดเงา รวมถึงอุปกรณ์แปรรูปที่ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับชิ้นงานเหล่านั้น

เราเข้าใจเป็นอย่างดีถึงความท้าทายของวัสดุเหล่านี้ในกระบวนการผลิต ด้วย สูตรการผลิตที่แม่นยำและการออกแบบโครงสร้างอุปกรณ์ เราช่วยให้คุณลดระยะเวลาในการแปรรูป เอาชนะข้อบกพร่องของพื้นผิว และบรรลุถึง ความละเอียดของผิวงานและความเรียบในระดับนาโนเมตร ที่ชิ้นส่วนต้องการ ซึ่งเป็นการ ยกระดับประสิทธิภาพและอัตราผลผลิตของผลิตภัณฑ์โดยรวม

คุณกำลังเจอปัญหาเหล่านี้อยู่หรือไม่? Honway มีโซลูชันให้คุณ!

โซลูชันจาก Honway : เครื่องมือที่มีเพชรเป็นวัสดุขัดของเราสามารถปรับสัดส่วนการออกแบบได้ตามความต้องการ เพื่อการตัดเฉือนที่ละเอียดและควบคุมได้ ช่วยป้องกันการแตกร้าวขนาดเล็กและการกะเทาะ อีกทั้งยังรับประกันความเรียบและความสม่ำเสมอของผิวงานได้อย่างคงที่

โซลูชันของ Honway: สูตรขัดผิวแบบปรับแต่งเฉพาะ ของเราและ การสนับสนุนทางเทคนิคมืออาชีพ สามารถวิเคราะห์และแก้ไขปัญหาผิวที่เกิดจากวัสดุได้อย่างแม่นยำ ช่วยเพิ่มอัตราผลิตภัณฑ์สมบูรณ์อย่างเห็นได้ชัด

โซลูชันของ Honway: ผ่าน วัสดุขัดผิวและขัดเงานวัตกรรม และ คำแนะนำกระบวนการที่ได้รับการปรับปรุง ช่วยให้คุณลดเวลาการขัดผิว เพิ่มประสิทธิภาพการผลิตอย่างมาก และลดต้นทุนต่อแผ่น

โซลูชันของ Honway: Honway มอบ คุณภาพยอดเยี่ยม ในขณะที่เสนอ ราคาที่แข่งขันได้ในตลาด เพื่อให้คุณบรรลุค่าใช้จ่ายรวมในการเป็นเจ้าของ (TCO) ที่ดียิ่งขึ้น

โซลูชันจาก Honway: เครื่องมือเจียระไนเพชรของบริษัทเรามีคุณสมบัติความแข็งสูงและทนทานต่อการสึกหรอเป็นเลิศ สามารถเพิ่มอัตราการตัดเฉือนและประสิทธิภาพในการแปรรูปได้อย่างมาก ทำให้ลดระยะเวลาในการแปรรูปได้

ข้อมูลเชิงลึกด้านเทคโนโลยี / มุมมองอุตสาหกรรม

ข้อมูลติดต่อและแผนที่

หน้านิทรรศการ

โทรศัพท์

Tel: +886-7-2231058
Fax : +886-7-2230658

E-mail

[email protected]

เวลาจัดแสดงนิทรรศการ

10/20-22 9:00am-5:00pm

Facebook
Threads
LinkedIn
Email
หน้านิทรรศการ

โทรศัพท์

Tel: +886-7-2231058
Fax : +886-7-2230658

E-mail

[email protected]

เวลาจัดแสดงนิทรรศการ

10/26-30 10:00am-5:00pm

10/31 10:00am-4:00pm

Facebook
Threads
LinkedIn
Email
เลื่อนไปด้านบน