隨著傳統矽晶片製程接近極限，科學家們正積極尋找新材料來延續摩爾定律的發展趨勢。 其中，過渡金屬二硫屬化物（Transition Metal Dichalcogenides，TMD）成為備受矚目的候選材料。 美國能源部（DOE）普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）研究團隊近期發表的一項研究，深入探討了 TMD 的原子結構與內部缺陷對其電氣性能的影響，為開發新一代高效能晶片奠定基礎。