随着传统矽晶片制程接近极限，科学家们正积极寻找新材料来延续摩尔定律的发展趋势。 其中，过渡金属二硫属化物（Transition Metal Dichalcogenides，TMD）成为备受瞩目的候选材料。 美国能源部（DOE）普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）研究团队近期发表的一项研究，深入探讨了 TMD 的原子结构与内部缺陷对其电气性能的影响，为开发新一代高效能晶片奠定基础。