HWS25 晶圓封裝划片刀-硬刀

宏崴實業提供客製化服務，

為您製作最適合的晶圓封裝划片刀

 

適用於半導體晶圓、封裝基板及陶瓷LED基板、半導體封裝基板和PZT、TGG各種硬脆材料的加工。

提供可選擇樹脂、金屬等兩種基材，滿足各類加工需求。

產品特點：

• 高耐磨性與刀刃穩定性:刀具具備優異的耐磨特性與結構穩定性，能有效控制晶片顆粒的側面台階，確保顆粒尺寸一致，提升切割良率與製程穩定性。

• 鑽石原料嚴格控制:採用超窄粒徑分佈的高純度鑽石微粉，並搭配精密檢測技術，有效排除大顆粒、長棒及片狀異形顆粒，顯著降低晶片正面崩口的風險。

• 超高刀刃強度設計:透過獨特電鍍工藝實現極高刀刃強度能避免蛇形切割現象。切割厚晶圓時亦能維持晶粒側面垂直，防止斜切，確保高負載下的穩定加工。

• 防止背崩與裂片的精密工藝:專為超薄晶圓與小晶粒晶圓設計的切割工藝，有效防止背面崩角與裂片問題，提升成品完整性與加工品質。

用途：

• 樹脂基材:適用於處理硬材質。
• 金屬基材:使用壽命較長。
• 用於半導體封裝切割製程階段。
• 處理難加工材料，如:帶有矽膠的陶瓷基板。

應用領域：

• 適用於陶瓷LED基板、半導體封裝基板和PZT、TGG等硬脆材質。

訂購划片刀時請指明下列事項:

• 划刀片之形狀及各部尺寸：
• 外徑(mm):例如：58
• 露出量(mm):4.0
• 厚度(mm):例如：0.20
• 厚度公差(mm):例如：B ±0.010
• 粒度:例如：#400
• 結合劑:例如：S 鋒利型
• 濃度:例如：30
• 開槽數量(個):例如：S48
• 用途:陶瓷LED基板
• 數量及交期：
• 轉速及加工條件：
• 加工設備型號:
• 多數製造商都會在划片刀上標示以下資訊，規格範例：58×4.0×0.2B 400S30S48

外徑(mm)	露出量(mm)	厚度(mm)	厚度公差(mm)	粒度	結合劑	濃度(體積濃度)	開槽數量(個)
56 58	2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6	0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18 0.20 0.22 0.24 0.26 0.28 0.30 0.32	A ±0.005 B ±0.010 C ±0.015	#340 #400 #500 #600 #800 #1000 #12 00	S 鋒利型 N 通用型 H 高強型	30 50 70 90 110 130 150	S16 S32 S48

來圖範例:

 

產品技術優勢:

嚴選高等積體（compact）鑽石晶型與均勻粒徑分佈，確保加工面潔淨度與切割穩定性，提升成品良率。

透過精準控制鑽石濃度分檔，HWE25 系列能有效平衡加工穩定性與刀具壽命，特別在降低晶圓背崩（chipping）方面展現出色表現，實現高良率、高可靠度的切割成效。

刀刃具備優異的化學穩定性，可有效抵抗濕式或 CO₂ 輔助切割環境中的腐蝕風險，大幅延長刀片使用壽命。

超窄切痕寬度，最小可達 10 μm滿足如 GaAs LED 等高密度排版、窄街區晶圓之切割需求，提升晶圓利用率並降低材料損耗。

適用於高轉速作業環境，能有效防止切割時出現「蛇形紋」等偏移現象，同時確保晶粒側壁具備良好垂直度與整齊性。

使用案例:

LED珠燈陶瓷封裝基板:正背、側面無封口、側面無台階

注意事項:

• 檢查划片刀：安裝前務必仔細檢查划片刀是否有裂痕或缺口，若發現損傷應立即停止使用，以防發生危險。
• 確認旋轉方向：確保划片刀上的旋轉方向標示與機台主軸的實際旋轉方向一致，反向使用會影響切割效果和刀片壽命。
• 選用正確刀片：僅使用符合工具機規格和加工條件的划片刀，避免因規格不符導致加工失敗或設備損壞。
• 立即停機：在加工過程中，如果出現異常聲音、振動或切割不順暢等情況，應立即停止機台運作，並找出原因後再繼續作業。
• 定期修整：當發現切割效率降低時，應對刀片進行修整，持續使用鈍化的刀片可能導致過熱、過載甚至破裂。
• 禁止觸摸：划片刀旋轉時，嚴禁以手或其他身體部位接觸，以免造成人身傷害。

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