原物料-鎵(Ga) Gallium 高純合金 製備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體

鎵是一種低熔點金屬,在室溫下呈液態。

它具有優異的導電性和導熱性。

 

物理性質:             

  • 原⼦量:69.723;密度:5.904g/cm at 25°C
  • 熔點:29.8℃;沸點:2403℃

應用範圍:            

  • 主要⽤於製備III-V族化合物半導體、⾼純合⾦、以及鍺、矽單晶摻雜劑、電子、光電領域。
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鎵(Ga) Gallium

鎵是一種低熔點金屬,在室溫下呈液態。

它具有優異的導電性和導熱性。

物理型態: 

  • 液態為銀⽩⾊
  • 固態為藍⽩⾊

物理性質          

  • 原⼦量:69.723;密度:5.904g/cm at 25°C
  • 熔點:29.8℃;沸點:2403℃

產品規格

規格 純度 檢測雜質 雜質總含量
高純鎵(5N) 99.999% Al、Ca、Cu、Fe、Hg、In、Mg、
Ni、Pb、Sn、Zn、Si
<10ppm
超純鎵(6N) 99.9999% Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Ni、
Pb、Sn、Zn、Si
<1ppm
超⾼純鎵(7N) 99.99999% Cu、Fe、Mg、Mn、Pb、Sn、Zn、Si <0.1ppm

 

應用範圍         

  • 主要⽤於製備III-V族化合物半導體、⾼純合⾦、以及鍺、矽單晶摻雜劑。

包裝:

  • 聚⼄烯塑膠瓶包裝,外加聚⼄烯薄膜封裝

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