原物料-砷(AS) Arsenic 半導體 紅外線發射器 塗料 陶瓷 化學工業

砷具有良好的化學穩定性與高導電性,特別適合用於高端電子元件與特殊合金的製作。

 

物理性質:             

  • 原⼦量:74.921;密度:5.727g/cm³
  • 熔點:814℃;沸點:613℃

應用範圍:            

  • ⾼純砷是製取化合物半導體砷化鎵的原料,廣泛應⽤於半導體、紅外線發射器、塗料、陶瓷、化學工業等領域。
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砷(AS) Arsenic

具有良好的化學穩定性與高導電性,特別適合用於高端電子元件與特殊合金的製作。

物理型態: 

  • 顆粒狀
  • 棒狀

物理性質          

  • 原⼦量:74.921;密度:5.727g/cm³
  • 熔點:814℃;沸點:613℃

產品規格

規格 純度 檢測雜質 雜質總含量
高純砷(6N) 99.9999% Cu、Ag、Mg、Sb、Ni、Zn、Bi、
Ca、Fe、Cr、Na、Al、Pb、K
<1ppm
高純砷(7N) 99.99999% Cu、Ag、Mg、Sb、Ni、Zn、Bi、
Ca、Fe、Cr、Na、S、Al、Se、Pb、K、
Si、Ge、Cd、Sn、Te
<0.1ppm
超純砷(7N5) 99.999995% Cu、Ag、Mg、Sb、Ni、Zn、Bi、
Ca、Fe、Cr、Na、S、Al、Se、Pb、K、
Si、Ge、Cd、Sn、Te
<0.05ppm

應用範圍         

  • ⾼純砷是製取化合物半導體砷化鎵的原料,廣泛應⽤於半導體、紅外線發射器、塗料、陶瓷、化學工業等領域

包裝:

  • 聚酯薄膜包裝後,塑膠薄膜真空封裝或⽯英管真空封裝

歡迎詢問

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