HWD25 晶圓電鑄划片刀
宏崴實業提供客製化服務，
為您製作最適合的晶圓電鑄划片刀
適用於半導體晶圓、封裝基板及LTCC、PZT、TGG等各種硬脆材料的加工。
產品特點：
- 高精度加工能力:採用高剛性電鑄結構與嚴密控製的刀刃幾何形狀，確保切割線寬穩定一致，實現高精度、高良率的微米級加工。
- 超窄切縫設計:超窄切痕寬度，最小可達 10 μm滿足如 GaAs LED 等高密度排版、窄街區晶圓之切割需求，提升晶圓利用率並降低材料損耗。
- 適用於多種晶圓材料，包括：單晶矽（Silicon）、二氧化矽、氮化矽等氧化物晶圓碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）等 III-V 族化合物半導體。
- 優異的刀刃壽命與穩定性:刀刃具備優異的化學穩定性，可有效抵抗濕式或 CO₂ 輔助切割環境中的腐蝕風險，大幅延長刀片使用壽命。
- 超窄鑽石微粉末粒徑分佈，搭配高一致性晶型選擇:嚴選高等積體（compact）鑽石晶型與均勻粒徑分佈，確保加工面潔淨度與切割穩定性，提升成品良率。
- 高刀刃強度與剛性設計:適用於高轉速作業環境，能有效防止切割時出現「蛇形紋」等偏移現象，同時確保晶粒側壁具備良好垂直度與整齊性。
- 可客製化刀片規格:提供不同刀片厚度、外徑、刀刃形狀與金屬基體硬度，以滿足各類晶圓尺寸與切割需求。
用途：
- 適用於切割或開槽，特別用於晶圓切割、半導體封裝加工。
- 用於半導體晶圓划片製程階段。
應用領域：
- 適用於矽晶圓、氧化物晶圓及碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵等各種化合物晶圓精密切割加工。
- 複合矽片、電子材料、樹脂、金屬、陶瓷、複合材料等。
訂購划片刀時請指明下列事項:
- 划刀片之形狀及各部尺寸：
- 刀刃露出量(um):例如：Z(250-380)
- 切縫寬度:例如：A(16-20)
- 粒度:例如：#1800
- 結合劑:例如：N 通用型
- 濃度:例如：90
- 用途:碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵晶圓用
- 數量及交期：
- 轉速及加工條件：
- 加工設備型號:
- 多數製造商都會在划片刀上標示以下資訊，規格範例：CB 3000N70
| 刀刃露出量(um) | 切縫寬度(um) | 粒度 | 結合劑 | 濃度(體積濃度) |
| Z 250-380
A 385-510 B 510-640 C 640-760 D 760-890 E 890-1020 F 1020-1150 G 1150-1270 |
Z 11-15
A 16-20 B 20-25 C 25-30 D 30-35 E 35-40 F 40-50 G 50-60 |
#1000
#1500 #1700 #1800 #2000 #2500 #3000 #3500 #4000 #4500 #4800 #5000 |
S 鋒利型
N 通用型 H 高強型 |
50
70 90 110 130 |
來圖範例:
產品技術優勢:
嚴選高等積體（compact）鑽石晶型與均勻粒徑分佈，確保加工面潔淨度與切割穩定性，提升成品良率。
透過精準控制鑽石濃度分檔，HWD25 系列能有效平衡加工穩定性與刀具壽命，特別在降低晶圓背崩（chipping）方面展現出色表現，實現高良率、高可靠度的切割成效。
高精度製程可減少切割前的調整與預校時間，同時在高轉速作業下有效降低刀刃跳動與振動，提升機台運轉穩定性。
刀刃具備優異的化學穩定性，可有效抵抗濕式或 CO₂ 輔助切割環境中的腐蝕風險，大幅延長刀片使用壽命。
超窄切痕寬度，最小可達 10 μm滿足如 GaAs LED 等高密度排版、窄街區晶圓之切割需求，提升晶圓利用率並降低材料損耗。
適用於高轉速作業環境，能有效防止切割時出現「蛇形紋」等偏移現象，同時確保晶粒側壁具備良好垂直度與整齊性。
使用案例:
8吋IC矽晶圓，切道含有金屬，無激光灼燒
注意事項:
- 檢查划片刀：安裝前務必仔細檢查划片刀是否有裂痕或缺口，若發現損傷應立即停止使用，以防發生危險。
- 確認旋轉方向：確保划片刀上的旋轉方向標示與機台主軸的實際旋轉方向一致，反向使用會影響切割效果和刀片壽命。
- 選用正確刀片：僅使用符合工具機規格和加工條件的划片刀，避免因規格不符導致加工失敗或設備損壞。
- 立即停機：在加工過程中，如果出現異常聲音、振動或切割不順暢等情況，應立即停止機台運作，並找出原因後再繼續作業。
- 定期修整：當發現切割效率降低時，應對刀片進行修整，持續使用鈍化的刀片可能導致過熱、過載甚至破裂。
- 禁止觸摸：划片刀旋轉時，嚴禁以手或其他身體部位接觸，以免造成人身傷害。
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