後矽時代的新希望:摻鎵氧化銦電晶體誕生
隨著傳統矽材料日益逼近物理極限,半導體產業正站在轉型的關鍵時刻。東京大學的研究團隊近期開發出一種以摻鎵氧化銦(InGaOx)為基礎的新型電晶體,有望在人工智慧與大數據等高運算應用中,延續摩爾定律的生命週期。這一創新,或將為後矽時代的晶體管設計開啟全新篇章。
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