工業用的鑽石，也就是合成鑽石，其製作方法主要有三種，分別是：高溫高壓 (HPHT, High-Pressure High-Temperature)，爆炸法和氣相沉積法(CVD, Chemical Vapor Deposition)。以下文章將會簡單介紹這三種鑽石的製作方法，以及其製造出的鑽石所擁有的特性，以供客戶了解及找出最合適的選擇。
目錄
1. 高溫高壓 HPHT
鑽石的成份為大家已知只有一種成分即為碳（Ｃ），石墨的成分一樣為碳（Ｃ），只是在結構上有所差異，石墨SP2結構為三向配位的二維分子面（CN=3），鑽石SP3結構為四向配位的三維分子體（CN=4），因此只要將石墨加給足夠的壓力跟溫度，亦即給予足夠的能量，予以適當的催化劑，即可將石墨轉換成為鑽石，一般來說轉換石墨成為鑽石需要1200-1500度C的高溫，同時合併要有5-7萬個大氣壓，這樣的設備主流的生產方式有兩種設備即兩面頂與六面頂兩種設備，但因六面頂生產成本及生產效率較兩面頂來得能夠降低成本，目前有超過九成都是以此方法生產的高溫高壓鑽石。
2. 爆炸法
爆炸法鑽石的製作分為兩種：
- 直接合成：在密閉空間引燃炸藥，在空間內因氣體爆發大量的碳原子彼此互相一起撞擊產生高壓，且處於缺氧的情況下，將炸藥本身的碳原子瞬間壓成炸渣，此種方式所得到的鑽石顆粒極小比表面積極大，因此會吸附大量的雜質，這種直接合成法適用於生產單晶的奈米鑽石。
- 以超音波震波件接著撞擊石墨：另一種爆炸法是以超音波震波件接著撞擊石墨，使其石墨在瞬間轉換為微米或是奈米鑽石，製造實為將石墨與銅粉均勻混合，並施以等靜壓法製成圓棒，圓棒以一內含真空隔層的鋼管密封，再加以數公噸的炸藥填塞於周圍，點燃炸藥後會把鋼管由一端擠壓到另一端，管內石墨會在瞬間經歷約數千度及20~30萬左右的大氣壓力，在數微秒內石墨會轉變成鑽石，這種製作方法出來的鑽石因含有大量缺陷的多晶體，外形如爆米花或馬鈴薯狀，因此此種方法多為生產多晶奈米或微米鑽石。
3. 氣相沈積法 CVD
氣相沈積法，也就是CVD鑽石，是一種較為新型的培育鑽石的方法。
將含碳氣體（甲烷氣體）充滿真空室，真空室底部形成一種碳等離子體,該等離子體不斷沉積在壓力室底部的碳底層上,整個結晶過程會持續數週，所產生的片狀晶體通常會有黑色的粗糙邊緣，晶體也常呈現棕色，不過可以通過熱處理去除。運用CVD合成法培育的鑽石晶體大多呈褐色或淺灰色，但如果在真空室中加入少量氮或硼，則可培育出黃色，粉紅色- 橙色或藍色晶體，通過這種方法，也可能培育出無色晶體，但培育週期更長。通過CVD合成法培育而成的鑽石大部分是IIa型，而市面上大多數通過CVD合成法培育的無色鑽石都是經過HPHT退火脫色處理的棕色晶體。運用CVD合成法和運用HPHT合成法所培育出的鑽石具有不同的寶石學特性，運用CVD合成法培育出的鑽石往往具有更高的透明度，並且幾乎沒有內含微小的暗色。
