半導體製程中的研磨拋光:從材料選擇到耗材賦能的卓越製程

在半導體製造中,晶圓的平坦度是精密電路堆疊的關鍵。化學機械平坦化(CMP) 技術扮演著「晶圓磨皮師」的角色,它結合化學與機械作用,精準地去除晶圓表面多餘材料,為後續製程奠定完美基礎。

宏崴深耕半導體研磨拋光領域,深知晶圓的極致平坦度是成就高效晶片的基石。面對日益嚴峻的製程挑戰,我們提供全面且高效的 CMP 核心耗材解決方案,涵蓋鑽石、氧化鋁、氧化鈰、二氧化矽等多種高性能拋光材料,能全面協助晶圓從粗磨到鏡面精拋,為您的精密製程奠定完美基礎。

CMP,全稱是化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization),又稱化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing),它是半導體製造中一項極為關鍵的製程。

簡單來說,CMP 就像是半導體晶圓的「磨皮」技術,它結合了化學腐蝕和機械研磨的力量,目標是將晶圓表面磨得既平坦又光滑。這項技術會使用含有奈米級磨料的拋光液(Slurry)以及研磨墊,透過精確的控制來去除晶圓上多餘的材料,達到微米甚至奈米級的平整度,最終使晶圓表面呈現「鏡面」般的光亮效果。

在半導體製造過程中,為了形成複雜的電路,需要在晶圓上堆疊多層材料。想像一下建造一座摩天大樓,每一層樓都必須平整,才能確保下一層的穩固。同樣地,如果半導體晶圓在每一道製程中,如果都有表面平整度不均或有凹凸不平的缺陷,這將會嚴重影響最終晶片的良率和效能。

CMP 製程不可或缺的原因

  • 確保電路精確堆疊:CMP 的主要作用是平坦化,它能夠減少或去除在反覆製程堆疊中產生的高低誤差,確保每一層電路的厚度均勻且表面平坦,為後續的微影和蝕刻製程提供一個理想的基礎。
  • 提升晶片良率與效能:透過精確控制材料去除量,CMP 可以避免過度研磨或研磨不足,確保晶片中的電路能夠精確形成,進而提升晶片的效能和製造良率。
  • 控制晶圓厚度:除了表面平坦化,研磨製程也用於將晶圓減薄。例如,背面研磨(Back Grinding)會將晶圓厚度從初始的 800-700 微米減薄至 80-70 微米,甚至透過多層堆疊技術可減薄至約 20 微米。這對於多晶片封裝(MCP)等應用至關重要,因為它能在有限的高度內實現更多層的電路堆疊,以滿足電子產品小型化和高整合度的需求。
  • 去除表面缺陷與殘留物:研磨和拋光也能改善前製程留下的微缺陷,去除晶圓表面殘留物,讓表面更加光亮,以迎接下一道製程。這一步驟對於確保晶片品質和可靠性至關重要。

晶圓研磨拋光後的規格要求

在半導體製造中,晶圓在經過背面研磨(Back Grinding)與精密拋光後,須滿足極為嚴格的物理與表面規格,以確保後續製程的可靠性與晶片性能。主要要求可分為三大面向:

1. 厚度控制

  • 標準變化
    • 初始晶圓厚度:約 700–800 微米(µm)。
    • 一般研磨後厚度:縮減至 70–80 微米。
    • 進階MCP(多晶片封裝)需求:可進一步減薄至 約 20 微米
  • 挑戰性:厚度過厚會導致散熱不良;過薄則易碎裂,尤其是在 12 吋晶圓使用普及的情況下,厚度控制的難度隨封裝趨勢增加。

2. 表面平坦度與粗糙度(Ra 值)

  • 粗糙度指標
    • 使用 Ra 值(Roughness Average)衡量。
    • Ra 越小代表表面越光滑,理想狀況接近原子級平坦
  • 潛在風險
    • 表面不均將影響電路圖案轉印,造成元件性能偏移或失效。
    • 內應力引發表面形變,可能導致參數漂移或可靠度下降。

3. 缺陷控制

  • 控制範圍
    • 表面損傷。
    • 微裂紋產生。
    • 顆粒與異物污染。
  • 重要性:即便是微小污染,也可能在後續製程中擴大為致命缺陷,導致晶片報廢。
  • 薄晶圓風險:晶圓越薄,其機械脆弱性越高,對製程中的微粒撞擊或載具機械干擾的容錯率更低,需特別謹慎。
  • 材料去除的精確性與表面均勻性: 半導體元件的精細結構要求研磨過程能精確控制材料去除量,並保持高度的平坦度與均勻性。這需要精準選擇磨料類型(如氧化鋁、二氧化矽或鑽石)與粒徑分佈,以確保最佳效果。
  • 表面的均勻性:研磨後的表面必須具備高度的平坦度和均勻性。任何局部不均勻的研磨都會導致後續光刻和蝕刻製程的失敗,進而影響整體晶片性能。
  • 缺陷的控制:研磨過程容易引入表面損傷、微裂紋和顆粒污染等缺陷。這些缺陷即便微小也可能導致元件失效,因此必須有效地控制並將其最小化。特別是隨著晶圓越薄,缺陷產生的機率越高,後續製程的難度也越大。
  • 應力產生與影響:在研磨過程中,研磨頭與晶圓表面的接觸會產生剪應力和壓力,化學溶液和磨料的流動也會施加應力。這些應力可能導致晶圓表面產生塑性變形和殘餘應力,影響最終的平整度和粗糙度,甚至影響電學性能,導致元件參數漂移和產品合格率下降。
  • 超硬特殊材料的加工難度: 針對碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料,其極致的硬度使傳統研磨加工面臨前所未有的挑戰。這類材料尤其需要鑽石這類超硬磨料才能實現高效且低損傷的去除。

如何提升晶圓平坦度

為了克服上述挑戰,提升晶圓平坦度,業界採取了多種策略:

  • 優化加工參數
    • 研磨液與磨料選擇: 精準控制研磨液的流速、濃度,並根據不同的半導體材料和研磨目標,精確選擇最適合的磨料類型(如氧化鋁、氧化鈰、二氧化矽或鑽石)及其粒徑分佈(例如 50-250 奈米,並有效控制 1-10 微米的聚集體)。研磨液的化學性質和磨料特性必須完美匹配,以實現均勻高效的材料去除和表面效果。
    • 研磨力控制:精確控制研磨壓力、速度和時間等參數,以達到最佳的研磨效果,避免過大壓力導致損傷或過小壓力影響效率。

※業界在進行研磨時有一個原則-CMP重工原則【留厚不留薄】:當你在調整參數時,建議實際秒數要比預計秒數要短,寧可留有厚度,也不要過薄,才有機會進行重工(rework)。

  • 多步驟研磨工藝:採用多步驟的研磨和拋光工藝,如粗磨、精磨,甚至在晶圓厚度小於 50 微米時採用先劃片後減薄(DBG)的方法,即在第一次研磨前先進行劃片,再進行研磨和第二次劃片,以安全地分離晶片並減少研磨過程中的外部缺陷。這種逐步精進的方式能夠有效減少應力,獲得更平滑的表面。
  • 局部加熱與化學蝕刻:在研磨拋光過程中引入局部加熱,可以改變晶圓的物理性質,從而減小應力的影響。此外,隨著技術的發展,引入半導體前端製程中的化學蝕刻技術,與機械研磨相結合,全面開發新的加工方法,也是解決研磨瓶頸的方向。
  • 研磨墊的選擇與維護:研磨墊的材料和特性直接影響研磨效果和穩定性,定期監測其磨損和污染並進行維護,是確保製程品質的重要環節。
  • 供應鏈與採購策略:選擇高品質的研磨材料和設備供應商,並優化採購流程,確保符合生產需求和工藝要求。
  • 持續改進與標準化:建立標準作業程序(SOP)以減少變異性,並定期對生產團隊進行應力管理和製程優化培訓。同時,根據實際生產數據持續評估和優化研磨拋光過程,以應對半導體技術不斷發展帶來的挑戰。

化學機械平坦化 (CMP) 是確保晶圓表面極致平坦的關鍵。宏崴憑藉在精密研磨拋光領域的豐富經驗,提供全系列高效能的 CMP 核心耗材,能滿足從傳統矽晶圓到新興化合物半導體的多元需求。我們的解決方案涵蓋精密砂輪、多樣化拋光液,如:鑽石、氧化鋁、氧化鈰、二氧化矽、拋光墊及鑽石碟,致力於為半導體製造商提供全面且優化的解決方案,助您提升晶圓品質,突破製程限制。

產品列表:

  • 宏崴精密砂輪系列:
    • 矽晶圓用倒角磨削砂輪: 確保矽晶圓邊緣光滑無損,有效預防崩裂。
    • 晶圓平面磨削用砂輪: 實現矽晶圓表面極致平坦,是高效製程的基礎。
    • 化合物半導體專用砂輪: 針對 SiC/GaN 等超硬材料,提供高效且低損傷的粗磨解決方案。
  • 宏崴高性能拋光液系列:
    • 宏崴鑽石拋光液: 提供多種奈米粒徑選擇,特別適用於超硬材料,如 SiC, GaN的鏡面級拋光 (Ra≤0.01 um) 效果,大幅提升元件性能與良率。
    • 宏崴氧化鋁拋光液: 適用於多種金屬層,如銅、鎢和介電層的 CMP,提供優異的材料去除率與表面品質。
    • 宏崴氧化鈰拋光液: 主要用於淺溝槽隔離 (STI) 和介電層的平坦化,提供高選擇比和低缺陷的拋光效果。
    • 宏崴二氧化矽拋光液: 廣泛應用於介電層、矽晶圓的精拋,提供極佳的表面平坦度與低缺陷率。
  • 宏崴精密晶圓研磨拋光墊 (Polishing Pad): 配合不同類型的拋光液(Slurry)與下壓壓力,移除晶圓表面多餘的材料,如氧化層、介電層(ILD)、金屬層,如 Cu、W等,確保製程穩定。
  • 宏崴提供鑽石碟諮詢:
    • 介紹: 作為研磨墊/拋光墊的「修整師」,鑽石碟通過其高硬度,精確修整研磨墊/拋光墊表面,確保其平整度和切削性能,維持最佳切削性能,以維持晶圓拋光過程中的平整度和速率,提高良率。
    • 提供服務: 如果想要了解更多細節資訊,歡迎聯絡宏崴,宏崴提供專業相關服務,為您打造個人化專案。

  1. 免費諮詢與專案評估: 我們的宏崴鑽石工業耗材專家為您提供產品諮詢,並針對您的具體製程需求進行專業評估,一同找出最佳的研磨拋光解決方案。
  2. 客製化方案設計: 無論您面對的是矽晶圓,還是化合物半導體(SiC, GaN, GaAs)的挑戰,我們都能為您量身打造最符合您需求的半導體研磨、拋光方案
  3. 先進材料與效能驗證: 我們提供業界領先的宏崴鑽石拋光液、鑽石碟、精密砂輪等耗材,並可協助您進行製程實施與效能驗證,確保您的產品達到預期的高良率與卓越效能。
  4. 宏崴擁有穩定供貨能力品質保證售後服務客製化支持,能給您最恆定的產品質量。

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