HWS25 晶圆封装划片刀-硬刀

适用于半导体晶圆、封装基板及陶瓷LED基板、半导体封装基板和PZT、TGG各种硬脆材料的加工。

提供可选择树脂、金属等两种基材,满足各类加工需求。

  • 树脂基材:适用于处理硬材质。
  • 金属基材:使用寿命较长。
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HWS25 晶圆封装划片刀-硬刀

宏崴实业提供客制化服务,

为您制作最适合的晶圆封装划片刀

 

适用于半导体晶圆、封装基板及陶瓷LED基板、半导体封装基板和PZT、TGG各种硬脆材料的加工。

提供可选择树脂、金属等两种基材,满足各类加工需求。

产品特点:

  • 高耐磨性与刀刃稳定性:刀具具备优异的耐磨特性与结构稳定性,能有效控制晶片颗粒的侧面台阶,确保颗粒尺寸一致,提升切割良率与制程稳定性。
  • 金刚石原料严格控制:采用超窄粒径分布的高纯度金刚石微粉,并搭配精密检测技术,有效排除大颗粒、长棒及片状异形颗粒,显著降低晶片正面崩口的风险。

  • 超高刀刃强度设计:透过独特电镀工艺实现极高刀刃强度能避免蛇形切割现象。切割厚晶圆时亦能维持晶粒侧面垂直,防止斜切,确保高负载下的稳定加工。

  • 防止背崩与裂片的精密工艺:专为超薄晶圆与小晶粒晶圆设计的切割工艺,有效防止背面崩角与裂片问题,提升成品完整性与加工品质。

用途:

  • 树脂基材:适用于处理硬材质。
  • 金属基材:使用寿命较长。
  • 用于半导体封装切割制程阶段。
  • 处理难加工材料,如:带有硅胶的陶瓷基板。

应用领域:

  • 适用于陶瓷LED基板、半导体封装基板和PZT、TGG等硬脆材质。

订购划片刀时请指明下列事项:

  • 划刀片之形状及各部尺寸:
  • 外径(mm):例如:58
  • 露出量(mm):4.0
  • 厚度(mm):例如:0.20
  • 厚度公差(mm):例如:B ±0.010
  • 粒度:例如:#400
  • 結合劑:例如:S 鋒利型
  • 浓度:例如:30
  • 开槽数量(个):例如:S48
  • 用途:陶瓷LED基板
  • 数量及交期:
  • 转速及加工条件:
  • 加工设备型号:
  • 多数制造商都会在划片刀上标示以下资讯,规格范例:58×4.0×0.2B 400S30S48
外径(mm) 露出量(mm) 厚度(mm) 厚度公差(mm) 粒度 结合剂 浓度(体积浓度) 开槽数量(个)
56

58

2.0

2.2

2.4

2.6

2.8

3.0

3.2

3.4

3.6

3.8

4.0

4.2

4.4

4.6

0.06

0.08

0.10

0.12

0.14

0.16

0.18

0.20

0.22

0.24

0.26

0.28

0.30

0.32

A ±0.005

B ±0.010

C ±0.015

#340

#400

#500

#600

#800

#1000

#12

00

S 锋利型

N 通用型

H 高強型

30

50

70

90

110

130

150

S16

S32

S48

来图范例:

 

产品技术优势:

严选高等积体(compact)金刚石晶型与均匀粒径分布,确保加工面洁净度与切割稳定性,提升成品良率。

透过精准控制金刚石浓度分档,HWE25 系列能有效平衡加工稳定性与刀具寿命,特别在降低晶圆背崩(chipping)方面展现出色表现,实现高良率、高可靠度的切割成效。

刀刃具备优异的化学稳定性,可有效抵抗湿式或 CO₂ 辅助切割环境中的腐蚀风险,大幅延长刀片使用寿命。

超窄切痕宽度,最小可达 10 μm满足如 GaAs LED 等高密度排版、窄街区晶圆之切割需求,提升晶圆利用率并降低材料损耗。

适用于高转速作业环境,能有效防止切割时出现「蛇形纹」等偏移现象,同时确保晶粒侧壁具备良好垂直度与整齐性。

使用案例:

LED珠灯陶瓷封装基板:正背、侧面无封口、侧面无台阶

注意事项:

  • 检查划片刀:安装前务必仔细检查划片刀是否有裂痕或缺口,若发现损伤应立即停止使用,以防发生危险。
  • 确认旋转方向:确保划片刀上的旋转方向标示与机台主轴的实际旋转方向一致,反向使用会影响切割效果和刀片寿命。
  • 选用正确刀片:仅使用符合工具机规格和加工条件的划片刀,避免因规格不符导致加工失败或设备损坏。
  • 立即停机:在加工过程中,如果出现异常声音、振动或切割不顺畅等情况,应立即停止机台运作,并找出原因后再继续作业。
  • 定期修整:当发现切割效率降低时,应对刀片进行修整,持续使用钝化的刀片可能导致过热、过载甚至破裂。
  • 禁止触摸:划片刀旋转时,严禁以手或其他身体部位接触,以免造成人身伤害。

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