HWD25 晶圆电铸划片刀
宏崴实业提供客制化服务，
为您制作最适合的晶圆电铸划片刀
适用于半导体晶圆、封装基板及LTCC、PZT、TGG等各种硬脆材料的加工。
产品特点：
- 高精度加工能力:采用高刚性电铸结构与严密控制的刀刃几何形状，确保切割线宽稳定一致，实现高精度、高良率的微米级加工。
- 超窄切缝设计:超窄切痕宽度，最小可达 10 μm满足如 GaAs LED 等高密度排版、窄街区晶圆之切割需求，提升晶圆利用率并降低材料损耗。
- 适用于多种晶圆材料，包括：单晶硅（Silicon）、二氧化硅、氮化硅等氧化物晶圆碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）等 III-V 族化合物半导体。
- 优异的刀刃寿命与稳定性:刀刃具备优异的化学稳定性，可有效抵抗湿式或 CO₂ 辅助切割环境中的腐蚀风险，大幅延长刀片使用寿命。
- 超窄金刚石微粉末粒径分布，搭配高一致性晶型选择:严选高等积体（compact）金刚石晶型与均匀粒径分布，确保加工面洁净度与切割稳定性，提升成品良率。
- 高刀刃强度与刚性设计:适用于高转速作业环境，能有效防止切割时出现「蛇形纹」等偏移现象，同时确保晶粒侧壁具备良好垂直度与整齐性。
- 可客制化刀片规格:提供不同刀片厚度、外径、刀刃形状与金属基体硬度，以满足各类晶圆尺寸与切割需求。
用途：
- 适用于切割或开槽，特别用于晶圆切割、半导体封装加工。
- 用于半导体晶圆划片制程阶段。
应用领域：
- 适用于硅晶圆、氧化物晶圆及碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、磷化镓等各种化合物晶圆精密切割加工。
- 复合硅片、电子材料、树脂、金属、陶瓷、复合材料等。
订购划片刀时请指明下列事项:
- 划刀片之形状及各部尺寸：
- 刀刃露出量(um):例如：Z(250-380)
- 切缝宽度:例如：A(16-20)
- 粒度:例如：#1800
- 结合剂:例如：N 通用型
- 浓度:例如：90
- 用途:碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、磷化镓晶圆用
- 数量及交期：
- 转速及加工条件：
- 加工设备型号:
- 多数制造商都会在划片刀上标示以下资讯，规格范例：CB 3000N70
| 刀刃露出量(um) | 切缝宽度(um) | 粒度 | 结合剂 | 浓度(体积浓度) |
| Z 250-380
A 385-510 B 510-640 C 640-760 D 760-890 E 890-1020 F 1020-1150 G 1150-1270 |
Z 11-15
A 16-20 B 20-25 C 25-30 D 30-35 E 35-40 F 40-50 G 50-60 |
#1000
#1500 #1700 #1800 #2000 #2500 #3000 #3500 #4000 #4500 #4800 #5000 |
S 锋利型
N 通用型 H 高強型 |
50
70 90 110 130 |
来图范例:
产品技术优势:
严选高等积体（compact）金刚石晶型与均匀粒径分布，确保加工面洁净度与切割稳定性，提升成品良率。
透过精准控制金刚石浓度分档，HWD25 系列能有效平衡加工稳定性与刀具寿命，特别在降低晶圆背崩（chipping）方面展现出色表现，实现高良率、高可靠度的切割成效。
高精度制程可减少切割前的调整与预校时间，同时在高转速作业下有效降低刀刃跳动与振动，提升机台运转稳定性。
刀刃具备优异的化学稳定性，可有效抵抗湿式或 CO₂ 辅助切割环境中的腐蚀风险，大幅延长刀片使用寿命。
超窄切痕宽度，最小可达 10 μm满足如 GaAs LED 等高密度排版、窄街区晶圆之切割需求，提升晶圆利用率并降低材料损耗。
适用于高转速作业环境，能有效防止切割时出现「蛇形纹」等偏移现象，同时确保晶粒侧壁具备良好垂直度与整齐性。
使用案例:
8吋IC矽晶圆，切道含有金属，无激光灼烧
注意事项:
- 检查划片刀：安装前务必仔细检查划片刀是否有裂痕或缺口，若发现损伤应立即停止使用，以防发生危险。
- 确认旋转方向：确保划片刀上的旋转方向标示与机台主轴的实际旋转方向一致，反向使用会影响切割效果和刀片寿命。
- 选用正确刀片：仅使用符合工具机规格和加工条件的划片刀，避免因规格不符导致加工失败或设备损坏。
- 立即停机：在加工过程中，如果出现异常声音、振动或切割不顺畅等情况，应立即停止机台运作，并找出原因后再继续作业。
- 定期修整：当发现切割效率降低时，应对刀片进行修整，持续使用钝化的刀片可能导致过热、过载甚至破裂。
- 禁止触摸：划片刀旋转时，严禁以手或其他身体部位接触，以免造成人身伤害。
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