原物料-铟(In) Indium 高纯合金 制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体

铟是一种柔软的银白色金属,具有高延展性和低熔点。

 

物理性质:             

  • 原⼦量:114.818 ;密度:7.30g/cm
  • 熔点:156.61℃ ;沸点:2060℃

应用范围:

  • 主要⽤于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、⾼纯合⾦、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池等。
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铟(In)Indium

铟是一种柔软的银白色金属,具有高延展性和低熔点。

物理型态:

  • 粉状
  • 丸状
  • 锭状
  • 棒状
  • 丝状

物理性质:             

  • 原⼦量:114.818 ;密度:7.30g/cm
  • 熔点:156.61℃ ;沸点:2060℃

产品规格

规格 纯度 检测杂质 杂质总含量
⾼纯铟(5N) 99.999% Ag、Al、Cd、S、Si、As、Cu、Fe、Mg、Ni、Pb、Tl、Sn、Zn <10ppm
超纯铟(6N) 99.9999% Cd、S、Si、Cu、Fe、Mg、Pb、Sn <1ppm
超⾼纯铟(7N) 99.99999% Ag、Cd、Cu、Fe、Mg、Pb、Ni、Zn <0.1ppm

 

5N

6N 7N

8N

6N 铟 7N 铟 8N 铟

应用范围:

  • 主要⽤于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、⾼纯合⾦、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池等。

包装:

  • 无尘PE袋+铝塑袋真空封装
  • 玻璃瓶充气+PE袋真空包装

欢迎询问

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