Алмазные подложки / Алмазные пластины

Diamond Substrate/Diamond Wafer

Компания HonWay Industrial предоставляет услуги индивидуального производства,

создавая оптимальные алмазные подложки / пластины по запросу клиента.

 

Характеристики продукта

• CVD-алмазы производятся методом химического осаждения из паровой фазы.
• Алмаз обладает наивысшей теплопроводностью среди известных материалов, обеспечивая быструю и эффективную тепловую отдачу.
• Обладает отличной износостойкостью и устойчивостью к повреждениям. Применяется в высокопрочных инструментах, промышленных пилах и бурильном оборудовании.
• Высокая прозрачность и низкое поглощение в широком диапазоне длин волн делает его идеальным материалом для оптических окон, линз и высокоточных оптических компонентов.
• Высокая химическая устойчивость к кислотам и щелочам обеспечивает стабильную работу в агрессивных средах.
• Нетоксичен и не вызывает отторжения организмом, что делает его пригодным для медицинских приборов и имплантов.

Области применения:

• Теплоинтерфейсные материалы (TIMs): алмазные пластины применяются в качестве высокоэффективных теплопроводящих прослоек между чипами, модулями и радиаторами.

• Электронная упаковка и подложки: обеспечивают отличную теплопередачу в полупроводниковых компонентах с высокой плотностью мощности, способствуя миниатюризации и повышению производительности.

• Серверы: идеально подходят как теплопроводящие слои для GaN или SiC-компонентов, продлевают срок службы и повышают надежность. Также применимы в современных упаковках 2.5D/3D и в высокопроизводительных вычислительных платформах.

• LED и оптоэлектроника: значительно улучшают тепловое управление, продлевают срок службы компонентов, увеличивают яркость и энергоэффективность.

• Изолирующие подложки: CVD-алмаз используется в качестве подложки для высокоэффективных полупроводников благодаря электроизоляции и высокой теплопроводности.

• Медицинские приборы: промышленный алмаз применяется в высокоточных хирургических инструментах и стоматологических борах, обеспечивая долговечность и точность.

Спецификации продукта:

Категория	Оптический уровень	Уровень теплоотвода
Тип алмаза	Монокристалл	Поликристалл
Размер пластин	До 15×15 мм² (кастомизация)	2 дюйма,кастомизация
Размер частиц		≤10μm
Допуск диаметра	+0.1, -0 мм	+0.1, -0 мм
Толщина		0.3–1.5 мм
Толщина после полировки	0.1–2 мм	0.2–1.0 мм
Допуск толщины	±0.02 мм (до 10 мм) ±0.03 мм (10–15 мм)	±50μm
Направление кристалла	100
Обработка поверхности	拋光，Ra<2nm
Шероховатость поверхности роста		<100nm Ra
Шероховатость начальной поверхности		<30nm Ra
Стандартная толщина		300μm

※ Свяжитесь с HonWay для индивидуальных заказов

Физические характеристики:

Категория	Оптический уровень	Уровень теплоотвода
Тип алмаза	Монокристалл	Поликристалл
Плотность	3.52 г/см³	3.52 г/см³
Ширина линии по полувысоте (FWHM)	~2.1 cm⁻¹
Концентрация азота	<0.5 ppm
Теплопроводность	1900~2200 W/(m·K) 300K	1200~2000 W/(m·K) 300K
Пропускание	>70% 1064 nm
Показатель преломления	2.379 @ 10.6 мкм
Модуль Юнга		850GPa
Химическая стойкость		Не растворяется в кислотах и щелочах
Прочность на излом		350GPa
Параллельность		<4μm/cm

 

Сравнение характеристик алмазных пластин

	Монокристаллические CVD	Поликристаллические CVD
Структура	Единый непрерывный кристалл	Множество случайно ориентированных зерен
Механические свойства	Отличная твердость и прочность	Меньшая прочность из-за границ зерен
Теплопроводность	Выше, отличное теплоотведение	Ниже (границы зерен)
Оптические свойства	Высокая прозрачность и точность	Меньшая чистота, возможны дефекты
Электрические свойства	Анизотропные, поддаются контролю	Более изотропные, хуже управляются
Области применения	Электроника, оптика, высокопроизводительные области	Промышленные инструменты, теплоотвод, абразивы

 

Сравнение свойств алмаза и других ИК-материалов:

Физическая характеристика	Ед. изм.	Алмаз (Diamond)		Сульфид цинка (ZnS)	Сульфид цинка (ZnS)	Германий (Ge)	Кремний (Si)	Арсенид галлия (GaAs)	Глинозем (Al₂O₃)
Ширина запрещенной зоны (Band gap)	eV	5.48		2.7	3.9	0.664	1.11	1.42	9.9
Длина волны отсечки (Cut-off wavelength)	μm			20	14	23			5.5
Коэффициент поглощения (Absorption coefficient)		0.1~0.3		0.005	0.2	0.02	0.35	0.01
Коэффициент поглощения (Absorption coefficient)	10.6 μm	0.1~0.6		0.0005	0.2	0.02
Микротвердость (Microhardness)	кг/мм²	8300		137	230	780	1150	721	190
Показатель преломления (Refractive index)		2.38		2.40	2.19	4.00	3.42	3.28	1.63
dn/dT	10⁻³/K	1.0		6.4	4.1	40	13	15	1.3
Теплопроводность (Thermal conductivity)	W/(cm·K)	18~22		0.19	0.27	0.59	1.63	0.55	0.35
Коэффициент теплового расширения (Coefficient of thermal expansion)	10⁻⁶K⁻¹	Оптический уровень	1.3	7.6	7.9	5.9	2.56	5.9	5.8
		уровень теплоотвода	0.8~1.0

 

Есть вопросы? Связаться с нами