ダイヤモンド基板/ダイヤモンドウエハ

Diamond Substrate/Diamond Wafer

Honway はカスタマイズされたサービスを提供します。

あなたに最適なダイヤモンド基板/ダイヤモンドウエハーを製作します

 

特徴：

• CVD ダイヤモンドは化学蒸着法を使用して製造されます。
• ダイヤモンドは既知の物質の中で最も高い熱伝導率を持ち、熱を素早く効率的に放散することができます。
• 摩耗や損傷に対する優れた耐性を備えています。精密切削工具、工業用鋸刃、掘削装置など、幅広い高耐久性用途に適しています。
• 広い波長範囲で高い透明性と低い吸収性を備えているため、光学窓、レンズ、高性能光学部品に最適な素材です。
• 酸やアルカリなどほとんどの化学薬品による腐食に対して高い耐性があり、過酷な化学環境でも長期間安定した性能を維持できます。
• 人体組織に対して無毒で拒絶反応も起こさないため、医療機器やインプラント機器に広く使用されています。

応用分野：

• 熱伝導材料 (TIMs): ダイヤモンド ウェーハは、チップ、モジュール、ヒートシンク間の効率的な熱伝導材料として使用でき、熱抵抗を効果的に低減し、熱伝導効率を大幅に向上させ、機器の安定した動作を保証します。

• 電子パッケージングおよび基板：半導体パッケージングの分野では、ダイヤモンドウエハーは優れた放熱性能を提供し、高電力密度環境でコンポーネントが継続的に動作できるようにサポートし、電子製品の小型化と高性能化をさらに促進します。

• サーバーアプリケーション: GaN や SiC 結晶などの高出力コンポーネントに最適な熱拡散層として使用でき、構造の内部温度上昇を効果的に低減し、コンポーネントの寿命を延ばし、システムの信頼性を向上させます。さらに、優れた機械的強度と高温耐性により、2.5D/3Dスタッキングやデータセンターの高性能コンピューティングプラットフォームなどの高度なパッケージング技術に適しています。

• LED および光電子部品: LED、光電子部品などの分野に応用されたダイヤモンド ウェーハは、熱管理を大幅に改善し、部品の寿命を延ばすとともに、発光輝度とエネルギー効率を高めて、ハイエンドの光電子アプリケーションのニーズを満たすことができます。

• 絶縁基板：CVDダイヤモンドウエハーは高性能半導体の絶縁基板として使用されます。電気絶縁性と高い熱伝導性を備えているため、電力および RF (無線周波数) コンポーネントに最適です。

• 医療機器：工業用ダイヤモンドは、高精度の外科用機器、歯科用ドリルなど、一部の医療分野でも使用されています。ダイヤモンドは硬度が高く、耐摩耗性に優れているため、医療機器の耐用年数と精度を向上させることができます。

仕様:

等級	光学グレード	ヒートシンクグレード
ダイヤモンドタイプ	単結晶	多結晶
ェハサイズ	最大15*15mm²，カスタマイズ可能	2インチ，可客製化
粒子サイズ		≤10μm
直径公差	﹢0.1，-0mm	﹢0.1，-0mm
厚さ		0.3-1.5mm
研磨後の厚さ	0.1~2mm	0.2-1.0mm
厚さ許容差	±0.02mm≤10mm ±0.03mm ，10~15mm	±50μm
結晶方向	100
表面処理-	研磨，Ra<2nm
成長表面粗さ		<100nm Ra
核形成表面粗さ		<30nm Ra
標準厚さ		300μm

※カスタマイズが必要な場合は、Honwayカスタマーサービスにお問い合わせください。

物理的な性質：

等級	光学グレード	ヒートシンクグレード
ダイヤモンドタイプ	単結晶	多結晶
密度	3.52克/立方センチメートル	3.52克/立方センチメートル
ラマン半値全幅(FWHM)	~2.1 cm⁻¹
窒素濃度	<0.5 ppm
熱伝導率	1900~2200 W/(m·K) 300K	1200~2000 W/(m·K) 300K
透過率	>70% 1064 nm
屈折率	2.379 @ 10.6 µm
ヤング率		850GPa
化学的安定性		あらゆる酸および塩基に不溶鹼
破断強度		350GPa
並列処理		<4μm/cm

 

ダイヤモンドの仕様比較：

	単結晶CVDダイヤモンドウエハ	多結晶CVDダイヤモンドウェーハ
造構	単一の連続結晶構造	複数のランダムな方向の小さな結晶
機械的特性	優れた硬度、強度、耐摩耗性	強度が低く、粒界の影響を受ける
熱伝導率	より高く優れた放熱性能	低い（粒界による））
光学特性	優れた光学的透明度と精度	透明度が低いため、欠陥がある可能性があります
電氣性能	高度に制御可能、方向依存	高い等方性、低い制御性
応用	エレクトロニクス、光学、高性能アプリケーション	工業用工具、ラジエーター、研磨材、放熱材

 

ダイヤモンドとその他の一般的な赤外線材料の性能比較：

物理的特性	ユニット	ダイヤモンド (Diamond)		セレン化亜鉛 (ZnSe)	硫化亜鉛 (ZnS)	ゲルマニウム (Ge)	シリコン (Si)	ガリウムヒ素 (GaAs)	アルミナ (Al₂O₃)
バンドギャップ (Band gap)	eV	5.48		2.7	3.9	0.664	1.11	1.42	9.9
カットオフ波長 (Cut-off wavelength)	μm			20	14	23			5.5
吸収係数 (Absorption coefficient)		0.1~0.3		0.005	0.2	0.02	0.35	0.01
吸収係数 (Absorption coefficient)	10.6 μm	0.1~0.6		0.0005	0.2	0.02
微小硬度 (Microhardness)	kg/mm²	8300		137	230	780	1150	721	190
屈折率 (Refractive index)		2.38		2.40	2.19	4.00	3.42	3.28	1.63
dn/dT	10⁻³/K	1.0		6.4	4.1	40	13	15	1.3
熱伝導率 (Thermal conductivity)	W/(cm·K)	18~22		0.19	0.27	0.59	1.63	0.55	0.35
熱膨張係数 (Coefficient of thermal expansion)	10⁻⁶K⁻¹	光学グレード	1.3	7.6	7.9	5.9	2.56	5.9	5.8
		ヒートシンクグレード	0.8~1.0

 

何か質問はある？ Honwayに連絡する