原材料 – ガリウム(Ga)III-V化合物半導体のガリウム高純度合金製造

ガリウムは室温で液体である低融点金属です。

電気伝導性、熱伝導性に優れています。

 

物理的特性:             

  • 原子量: 69.723; 密度: 25°Cで5.904g/cm
  • 融点:29.8℃、沸点:2403℃

用途:

  • 主に、III-V 化合物半導体、高純度合金、ゲルマニウムおよびシリコン単結晶ドーパントの製造、およびエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスの分野で使用されます。
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ガリウム(Ga)Gallium

ガリウムは室温で液体である低融点金属です。

電気伝導性、熱伝導性に優れています。

物理的形状:

  • 液体は銀白色
  • 固体は青みがかった白色

物理的特性          

  • 原子量: 69.723; 密度: 25°Cで5.904g/cm
  • 融点:29.8℃、沸点:2403℃

製品仕様

仕様 純度 不純物検出 総不純物含有量
高純度ガリウム(5N) 99.999% Al、Ca、Cu、Fe、Hg、In、Mg、
Ni、Pb、Sn、Zn、Si
<10ppm
超高純度ガリウム(6N) 99.9999% Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Ni、
Pb、Sn、Zn、Si
<1ppm
超高純度ガリウム(7N) 99.99999% Cu、Fe、Mg、Mn、Pb、Sn、Zn、Si <0.1ppm

 

応用         

  • 主に、III-V 化合物半導体、高純度合金、ゲルマニウムおよびシリコン単結晶ドーパントの製造に使用されます。

パッケージ:

  • ポリエチレンプラスチックボトル包装、ポリエチレンフィルム包装

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