{"id":124446,"date":"2025-08-19T15:53:01","date_gmt":"2025-08-19T07:53:01","guid":{"rendered":"https:\/\/honwaygroup.com\/enfoque-en-sic-y-gan-avances-y-retos-en-la-tecnologia-de-rectificado-y-pulido-de-semiconductores-compuestos\/"},"modified":"2025-09-02T09:42:44","modified_gmt":"2025-09-02T01:42:44","slug":"enfoque-en-sic-y-gan-avances-y-retos-en-la-tecnologia-de-rectificado-y-pulido-de-semiconductores-compuestos","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/enfoque-en-sic-y-gan-avances-y-retos-en-la-tecnologia-de-rectificado-y-pulido-de-semiconductores-compuestos\/","title":{"rendered":"Enfoque en SiC y GaN: avances y retos en la tecnolog\u00eda de rectificado y pulido de semiconductores compuestos"},"content":{"rendered":"\n<p class=\"has-medium-font-size\">El carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), como semiconductores de banda ancha de \u00faltima generaci\u00f3n (WBGS), est\u00e1n revolucionando el panorama de aplicaciones de los materiales de silicio tradicionales. Entre sus ventajas se incluyen su capacidad para soportar altas temperaturas, altos voltajes, altas frecuencias y bajas p\u00e9rdidas, lo que los hace especialmente adecuados para aplicaciones de alto rendimiento, como veh\u00edculos el\u00e9ctricos, comunicaciones 5G\/6G, energ\u00edas renovables y carga r\u00e1pida. En comparaci\u00f3n con el silicio, el carburo de silicio y el nitruro de galio mantienen un funcionamiento estable en condiciones m\u00e1s extremas, al tiempo que reducen sustancialmente la disipaci\u00f3n de energ\u00eda, lo que impulsa a la industria mundial de semiconductores hacia una nueva fase.<\/p>\n\n<div class=\"wp-block-rank-math-toc-block\" id=\"rank-math-toc\"><h2>Tabla de contenido<\/h2><nav><ul><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E8%88%87%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%84%AA%E5%8B%A2\">Ventajas del carburo de silicio y el nitruro de galio<\/a><ul><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD-si-c\">Carburo de silicio SiC<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5-ga-n\">Nitruro de galio GaN<\/a><\/li><\/ul><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E9%97%9C%E9%8D%B5%EF%BC%9Ahvpe%E8%88%87%E6%B0%A8%E7%86%B1%E6%B3%95\">Procesos clave del nitruro de galio: electr\u00f3lisis pirol\u00edtica en alto vac\u00edo y proceso t\u00e9rmico con amon\u00edaco.<\/a><ul><li class=\"\"><a href=\"#%E6%B0%AB%E5%8C%96%E7%89%A9%E6%B0%A3%E7%9B%B8%E5%A4%96%E5%BB%B6%E6%B3%95%EF%BC%88hvpe%EF%BC%89\">Epitaxia en fase gaseosa hidrogenada\uff08HVPE\uff09<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E6%B0%A8%E7%86%B1%E6%B3%95%EF%BC%88-ammonothermal%EF%BC%89\">Proceso t\u00e9rmico con amon\u00edaco\uff08Ammonothermal\uff09<\/a><\/li><\/ul><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E9%97%9C%E9%8D%B5%EF%BC%9A%E6%98%87%E8%8F%AF%E6%B3%95%E8%88%87%E7%A3%8A%E6%99%B6%E6%8A%80%E8%A1%93\">Procesos clave para la producci\u00f3n de carburo de silicio: m\u00e9todo de sublimaci\u00f3n y tecnolog\u00eda de crecimiento epitaxial.<\/a><ul><li class=\"\"><a href=\"#%E5%9F%BA%E6%9D%BF%E8%A3%BD%E4%BD%9C%EF%BC%9A%E7%89%A9%E7%90%86%E6%B0%A3%E7%9B%B8%E5%82%B3%E8%BC%B8%E6%B3%95-%E6%98%87%E8%8F%AF%E6%B3%95pvt\">Fabricaci\u00f3n de sustratos: M\u00e9todo de transferencia f\u00edsica de vapor &#8211; Proceso de sublimaci\u00f3n PVT<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A3%8A%E6%99%B6%E9%9A%8E%E6%AE%B5%EF%BC%9A%E5%9F%BA%E6%9D%BF%E4%B8%8A%E7%9A%84%E6%96%B0%E7%B5%90%E6%99%B6\">Etapa epitaxial: nueva cristalizaci\u00f3n sobre el sustrato.<\/a><\/li><\/ul><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E8%88%87%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E7%A0%94%E7%A3%A8%E6%8B%8B%E5%85%89%E7%9A%84%E3%80%8C%E7%A1%AC%E6%A0%B8%E3%80%8D%E6%8C%91%E6%88%B0\">El desaf\u00edo \u00abextremo\u00bb del esmerilado y pulido del carburo de silicio y el nitruro de galio<\/a><ul><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD-si-c%E7%9A%84%E7%A0%94%E7%A3%A8%E6%8B%8B%E5%85%89%E6%8C%91%E6%88%B0\">Retos del rectificado y pulido del carburo de silicio (SiC)<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5-ga-n%E7%9A%84%E7%A0%94%E7%A3%A8%E6%8B%8B%E5%85%89%E6%8C%91%E6%88%B0\">Retos en el rectificado y pulido del nitruro de galio (GaN)<\/a><\/li><\/ul><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E5%85%8B%E6%9C%8D%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E8%88%87%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E7%A1%AC%E5%BA%A6%E6%8C%91%E6%88%B0%EF%BC%9A%E5%AE%8F%E5%B4%B4%E7%B2%BE%E5%AF%86%E7%A0%94%E7%A3%A8%E6%8B%8B%E5%85%89%E8%A7%A3%E6%B1%BA%E6%96%B9%E6%A1%88\">Superando los retos de dureza del carburo de silicio y el nitruro de galio: soluciones de rectificado y pulido de precisi\u00f3n de Hongwei<\/a><ul><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A0%94%E7%A3%A8%E9%9A%8E%E6%AE%B5%EF%BC%9A%E5%BE%9E%E7%B2%97%E7%A3%A8%E5%88%B0%E7%B2%BE%E7%A3%A8%E7%9A%84%E7%A9%A9%E5%AE%9A%E6%8E%A7%E5%88%B6\">Etapa de molienda: control estable desde molienda gruesa hasta molienda fina<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#cmp-%E6%8B%8B%E5%85%89%EF%BC%9A%E5%AF%A6%E7%8F%BE%E8%B6%85%E5%B9%B3%E5%9D%A6%E7%84%A1%E6%90%8D%E8%A1%A8%E9%9D%A2\">Pulido CMP: c\u00f3mo conseguir superficies ultraplanas y sin da\u00f1os<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E6%8B%8B%E5%85%89%E6%B6%B2%EF%BC%9A%E7%B2%BE%E6%BA%96%E5%8C%96%E5%AD%B8%E8%9D%95%E5%88%BB%E8%88%87%E6%9D%90%E6%96%99%E9%81%B8%E6%93%87%E6%80%A7\">Soluci\u00f3n de pulido: grabado qu\u00edmico de precisi\u00f3n y selectividad de materiales<\/a><\/li><\/ul><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E8%88%87%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E7%9A%84%E5%BB%A3%E9%97%8A%E5%89%8D%E6%99%AF%E8%88%87%E6%8B%8B%E5%85%89%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%9A%84%E6%8C%81%E7%BA%8C%E5%89%B5%E6%96%B0\">Las amplias perspectivas del carburo de silicio y el nitruro de galio y la innovaci\u00f3n continua en la tecnolog\u00eda de pulido<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E6%9B%B4%E5%A4%9A%E5%AE%8F%E5%B4%B4%E9%91%BD%E7%9F%B3%E7%A0%94%E7%A3%A8%E6%8B%8B%E5%85%89%E8%80%97%E6%9D%90%E8%B3%87%E8%A8%8A\">M\u00e1s informaci\u00f3n sobre los consumibles de pulido y rectificado de diamantes Hongway<\/a><\/li><li class=\"\"><a href=\"#%E9%96%B1%E8%AE%80%E6%9B%B4%E5%A4%9A%E7%9B%B8%E9%97%9C%E8%AD%B0%E9%A1%8C\">Leer m\u00e1s sobre temas relacionados<\/a><\/li><\/ul><\/nav><\/div>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-f9691b6bb9ac3e042fe6ab7d57853ded\" id=\"&#x78B3;&#x5316;&#x77FD;&#x8207;&#x6C2E;&#x5316;&#x93B5;&#x512A;&#x52E2;\">Ventajas del carburo de silicio y el nitruro de galio<\/h2>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">El carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), aunque ambos pertenecen a la categor\u00eda de semiconductores compuestos, presentan ventajas materiales insustituibles en el campo de la electr\u00f3nica de alto rendimiento.<\/p>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x78B3;&#x5316;&#x77FD;-si-c\">Carburo de silicio SiC<\/h3>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Alto voltaje de ruptura: capaz de soportar voltajes significativamente m\u00e1s altos que el silicio, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta tensi\u00f3n.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Alta conductividad t\u00e9rmica: excelente eficiencia en la disipaci\u00f3n del calor, lo que permite un funcionamiento estable en entornos con altas temperaturas.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Baja resistencia: reduce la p\u00e9rdida de energ\u00eda y mejora la eficiencia del sistema.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x6C2E;&#x5316;&#x93B5;-ga-n\">Nitruro de galio GaN<\/h3>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Alta movilidad de electrones: r\u00e1pida velocidad de conmutaci\u00f3n, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Caracter\u00edsticas de alta frecuencia: admite un funcionamiento a nivel de GHz, lo que reduce el tama\u00f1o de los componentes y mejora la eficiencia de conversi\u00f3n.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Bajos requisitos de disipaci\u00f3n t\u00e9rmica: reduce el tama\u00f1o y el coste de los sistemas de gesti\u00f3n t\u00e9rmica.<\/li>\n<\/ul>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">Ambos no solo superan las limitaciones de los materiales tradicionales basados en silicio en t\u00e9rminos de potencia y frecuencia, sino que tambi\u00e9n sientan las bases fundamentales para sistemas electr\u00f3nicos avanzados que son altamente eficientes y de bajo consumo energ\u00e9tico.<\/p>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-fa850d396790359ea847695b0e7045ba\" id=\"&#x6C2E;&#x5316;&#x93B5;&#x88FD;&#x7A0B;&#x95DC;&#x9375;&#xFF1A;hvpe&#x8207;&#x6C28;&#x71B1;&#x6CD5;\">Procesos clave para la fabricaci\u00f3n de nitruro de galio: electr\u00f3lisis pirol\u00edtica en alto vac\u00edo y proceso t\u00e9rmico con amon\u00edaco.<\/h2>\n\n<figure class=\"wp-block-image size-full\"><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/shutterstock_1015265728.jpg\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"683\" src=\"https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/shutterstock_1015265728.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-122085\" srcset=\"https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/shutterstock_1015265728.jpg 1024w, https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/shutterstock_1015265728-300x200.jpg 300w, https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/shutterstock_1015265728-768x512.jpg 768w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/a><\/figure>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">La tecnolog\u00eda de crecimiento del sustrato para el nitruro de galio determina su rendimiento y coste:<\/p>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x6C2B;&#x5316;&#x7269;&#x6C23;&#x76F8;&#x5916;&#x5EF6;&#x6CD5;&#xFF08;hvpe&#xFF09;\">Epitaxia en fase gaseosa hidrogenada\uff08HVPE\uff09<\/h3>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Utilizando gas hidr\u00f3geno como gas portador, el cloruro de hidr\u00f3geno (HCl) reacciona con el galio (Ga) para formar cloruro de galio (GaCl), que a continuaci\u00f3n reacciona con el amon\u00edaco (NH\u2083) para producir cristales de GaN.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">La temperatura del proceso es de aproximadamente 1000 \u00b0C, lo que permite el r\u00e1pido crecimiento de grandes cantidades de GaN.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Desventajas: <strong>Propenso a desarrollar grietas y defectos en la red cristalina<\/strong>, lo que da lugar a una menor calidad del cristal.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x6C28;&#x71B1;&#x6CD5;&#xFF08;-ammonothermal&#xFF09;\">Proceso t\u00e9rmico con amon\u00edaco\uff08Ammonothermal\uff09<\/h3>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Al utilizar amon\u00edaco supercr\u00edtico como disolvente, posee simult\u00e1neamente la capacidad de disoluci\u00f3n de un l\u00edquido y la difusividad de un gas en condiciones de alta presi\u00f3n y alta temperatura.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Th\u00f4ng qua qu\u00e1 tr\u00ecnh h\u00f2a tan gallium b\u1eb1ng amoniac v\u00e0 l\u1eafng \u0111\u1ecdng \u0111\u1ec3 t\u1ea1o ra tinh th\u1ec3 GaN.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Ventajas: Temperatura m\u00e1s baja, menor consumo de energ\u00eda y densidad de defectos m\u00ednima, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta calidad.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\">Desventajas: Tasa de crecimiento lenta, proceso de fabricaci\u00f3n relativamente complejo.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-06e5d418c3a36af3938acc9a3aec403a\" id=\"&#x78B3;&#x5316;&#x77FD;&#x88FD;&#x7A0B;&#x95DC;&#x9375;&#xFF1A;&#x6607;&#x83EF;&#x6CD5;&#x8207;&#x78CA;&#x6676;&#x6280;&#x8853;\">Procesos clave para la producci\u00f3n de carburo de silicio: m\u00e9todo de sublimaci\u00f3n y tecnolog\u00eda de crecimiento epitaxial.<\/h2>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">El proceso de fabricaci\u00f3n del carburo de silicio (SiC) es largo y muy complejo, y cada paso, desde el crecimiento del sustrato hasta la fabricaci\u00f3n del dispositivo de potencia, presenta retos importantes.<\/p>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x57FA;&#x677F;&#x88FD;&#x4F5C;&#xFF1A;&#x7269;&#x7406;&#x6C23;&#x76F8;&#x50B3;&#x8F38;&#x6CD5;-&#x6607;&#x83EF;&#x6CD5;pvt\">Fabricaci\u00f3n de sustratos: M\u00e9todo de transferencia f\u00edsica de vapor &#8211; Proceso de sublimaci\u00f3n PVT<\/h3>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">Actualmente, esta es la tecnolog\u00eda m\u00e1s utilizada para producir <strong>sustratos de carburo de silicio<\/strong>, y los aspectos clave y retos del proceso son los siguientes:<\/p>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\"><strong>Principio del proceso<\/strong>: sublimar polvo de SiC en un entorno sellado a alta temperatura (aproximadamente 2200 \u00b0C) y baja presi\u00f3n, permitiendo que su vapor se condense y se adhiera al entrar en contacto con semillas de cristal de SiC, lo que da lugar al crecimiento de cristales de SiC.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\"><strong>Alta dificultad y larga duraci\u00f3n<\/strong>: mientras que los lingotes de silicio (Si) pueden crecer varios metros en solo unos d\u00edas, los lingotes de carburo de silicio (SiC) necesitan entre dos y tres semanas para crecer menos de 10 cent\u00edmetros. Adem\u00e1s, la calidad del crecimiento cristalino no se puede supervisar en tiempo real durante el proceso, por lo que la confirmaci\u00f3n final solo se puede realizar una vez finalizado.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\"><strong>Procesamiento posterior<\/strong>: Una vez completado el crecimiento del cristal, el material debe someterse a m\u00faltiples etapas, incluyendo corte, esmerilado y pulido, para producir sustratos con superficies lisas que cumplan con las especificaciones.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x78CA;&#x6676;&#x968E;&#x6BB5;&#xFF1A;&#x57FA;&#x677F;&#x4E0A;&#x7684;&#x65B0;&#x7D50;&#x6676;\">Etapa epitaxial: nueva cristalizaci\u00f3n sobre el sustrato.<\/h3>\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/&#x805A;&#x7126;SiC&#x8207;GaN&#xFF1A;&#x5316;&#x5408;&#x7269;&#x534A;&#x5C0E;&#x9AD4;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x6280;&#x8853;&#x7684;&#x7A81;&#x7834;&#x8207;&#x6311;&#x6230;_&#x5DE5;&#x4F5C;&#x5340;&#x57DF;-1-&#x8907;&#x672C;-3.avif\"><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/&#x805A;&#x7126;SiC&#x8207;GaN&#xFF1A;&#x5316;&#x5408;&#x7269;&#x534A;&#x5C0E;&#x9AD4;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x6280;&#x8853;&#x7684;&#x7A81;&#x7834;&#x8207;&#x6311;&#x6230;_&#x5DE5;&#x4F5C;&#x5340;&#x57DF;-1-&#x8907;&#x672C;-3-1024x630.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-122095\" \/><\/a><\/figure>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">Tras la fabricaci\u00f3n del sustrato, se debe realizar un paso de <strong>epitaxia<\/strong> para hacer crecer una nueva capa cristalina sobre el sustrato de SiC, formando as\u00ed la estructura del dispositivo de potencia.<\/p>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\"><strong>Alineaci\u00f3n t\u00e9cnica<\/strong>: Taiw\u00e1n ha alcanzado la paridad con los est\u00e1ndares internacionales en las tecnolog\u00edas fundamentales del proceso de crecimiento epitaxial.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\"><strong>Dise\u00f1o de componentes y nuevos procesos<\/strong>: Sin embargo, el dise\u00f1o y la tecnolog\u00eda de procesos de los componentes de potencia de SiC est\u00e1n interrelacionados. Los nuevos dise\u00f1os de componentes a menudo requieren el desarrollo de nuevas tecnolog\u00edas de procesos correspondientes, un \u00e1rea en la que Taiw\u00e1n a\u00fan necesita m\u00e1s tiempo para acumular experiencia.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-f3b04769e87abe515694ca33c5574c1d\" id=\"&#x78B3;&#x5316;&#x77FD;&#x8207;&#x6C2E;&#x5316;&#x93B5;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x7684;&#x300C;&#x786C;&#x6838;&#x300D;&#x6311;&#x6230;\">El desaf\u00edo \u00abextremo\u00bb del esmerilado y pulido del carburo de silicio y el nitruro de galio<\/h2>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">En los procesos de fabricaci\u00f3n de dispositivos de potencia de alto rendimiento y componentes de alta frecuencia, aunque el SiC y el GaN poseen propiedades materiales excepcionales, su dureza, fragilidad e inercia qu\u00edmica excepcionales hacen que el esmerilado y el pulido sean los cuellos de botella t\u00e9cnicos de todo el proceso. Para ilustrar m\u00e1s claramente los retos a los que se enfrenta cada material en el proceso final, a continuaci\u00f3n se enumeran por separado las cuatro principales dificultades que pueden encontrar el SiC y el GaN durante el esmerilado y el pulido:<\/p>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x78B3;&#x5316;&#x77FD;-si-c&#x7684;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x6311;&#x6230;\">Retos del rectificado y pulido del carburo de silicio (SiC)<\/h3>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Dureza y fragilidad excepcionalmente altas<\/strong>: con una dureza Mohs de 9,2, cercana a la dureza del diamante, junto con una alta fragilidad, el SiC presenta una baja eficiencia de rectificado. Durante el mecanizado, incluso un peque\u00f1o descuido puede provocar microfisuras o astillamiento de la oblea, lo que reduce el rendimiento de la misma.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Inertia qu\u00edmica<\/strong>: La superficie del carburo de silicio presenta una estabilidad qu\u00edmica excepcional, lo que hace que las pastas CMP convencionales sean en gran medida ineficaces. Es necesario introducir agentes oxidantes altamente reactivos o part\u00edculas catalizadas por metales para formar una capa oxidada adecuada para su eliminaci\u00f3n.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Estructuras cristalinas y defectos<\/strong>: Las estructuras polim\u00f3rficas, como 6H-SiC y 4H-SiC, presentan anisotrop\u00eda, lo que da lugar a variaciones significativas en las velocidades de molienda. Los defectos, como los microtubos y las dislocaciones apiladas, tienden a amplificarse durante el procesamiento, lo que reduce el rendimiento de los procesos posteriores.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Requisitos de integridad de la superficie<\/strong>: los componentes de potencia muestran una sensibilidad extrema a la planitud de la superficie y a la densidad de defectos, con desviaciones de rugosidad a nivel at\u00f3mico que pueden afectar al voltaje de ruptura, la corriente de fuga y la fiabilidad.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x6C2E;&#x5316;&#x93B5;-ga-n&#x7684;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x6311;&#x6230;\">Retos en el rectificado y pulido del nitruro de galio (GaN)<\/h3>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Alta dureza y fragilidad<\/strong>: con una dureza Mohs de aproximadamente 9, el GaN presenta una baja maquinabilidad y una alta fragilidad, lo que hace que las obleas delgadas sean propensas a fracturarse o astillarse. Este riesgo se acent\u00faa especialmente durante el procesamiento de obleas de gran di\u00e1metro.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Estabilidad qu\u00edmica<\/strong>: el GaN presenta inercia qu\u00edmica frente a soluciones \u00e1cidas y alcalinas. El pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico (CMP) por s\u00ed solo muestra una baja eficiencia de eliminaci\u00f3n y requiere la integraci\u00f3n con reacciones redox espec\u00edficas o luz ultravioleta para promover las reacciones superficiales.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Estructura cristalina y problemas de epitaxia heterog\u00e9nea<\/strong>: La mayor parte del GaN se cultiva mediante epitaxia heterog\u00e9nea, lo que provoca un alto estr\u00e9s interfacial y una elevada densidad de defectos. Esto da lugar a tasas de eliminaci\u00f3n desiguales durante el pulido, lo que facilita la formaci\u00f3n de escalones o depresiones localizadas.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Requisitos de calidad de la superficie y la interfaz<\/strong>: Los componentes de RF de alta frecuencia y alta potencia exigen unos est\u00e1ndares excepcionalmente altos en cuanto a la rugosidad de la superficie y la interfaz. Los ara\u00f1azos a nivel at\u00f3mico o las part\u00edculas residuales pueden comprometer la estabilidad y el rendimiento energ\u00e9tico de los componentes.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-4baf0702061dd4cf8fc05e9253eaaeae\" id=\"&#x514B;&#x670D;&#x78B3;&#x5316;&#x77FD;&#x8207;&#x6C2E;&#x5316;&#x93B5;&#x786C;&#x5EA6;&#x6311;&#x6230;&#xFF1A;&#x5B8F;&#x5D34;&#x7CBE;&#x5BC6;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x89E3;&#x6C7A;&#x65B9;&#x6848;\">Superando los retos de dureza del carburo de silicio y el nitruro de galio: soluciones de rectificado y pulido de precisi\u00f3n de Hongwei<\/h2>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">A medida que los materiales semiconductores compuestos, como el carburo de silicio y el nitruro de galio, se van imponiendo cada vez m\u00e1s, especialmente en la transici\u00f3n hacia las obleas de 8 pulgadas, su excepcional dureza y fragilidad plantean importantes retos a las t\u00e9cnicas convencionales de rectificado y pulido. Con una dureza Mohs que oscila entre 9,2 y 9,6, estos materiales causan f\u00e1cilmente da\u00f1os en la superficie y el subsuelo de las obleas, provocan deformaciones y afectan negativamente al rendimiento posterior de los dispositivos.<\/p>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">Hongwei Industrial aborda las caracter\u00edsticas f\u00edsicas del SiC y el GaN centr\u00e1ndose en los consumibles, el control de procesos y el dise\u00f1o de equipos para ofrecer soluciones integrales de rectificado y pulido. Esto ayuda a la industria a superar los cuellos de botella, lograr una calidad de proceso estable y alcanzar altas tasas de rendimiento.<\/p>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x7814;&#x78E8;&#x968E;&#x6BB5;&#xFF1A;&#x5F9E;&#x7C97;&#x78E8;&#x5230;&#x7CBE;&#x78E8;&#x7684;&#x7A69;&#x5B9A;&#x63A7;&#x5236;\">Etapa de molienda: control estable desde molienda gruesa hasta molienda fina<\/h3>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">Las herramientas de rectificado convencionales suelen encontrar problemas como tiempos de procesamiento prolongados, da\u00f1os excesivos en la superficie subyacente (SSD) y espesores irregulares al trabajar con SiC y GaN. Hongwei aborda eficazmente estos retos mediante los siguientes consumibles avanzados:<\/p>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Muelas abrasivas espec\u00edficas para obleas<\/strong>: gracias a su f\u00f3rmula de alta dureza y resistencia al desgaste, estas muelas eliminan r\u00e1pidamente el material y suprimen eficazmente la formaci\u00f3n de microfisuras, minimizando as\u00ed los da\u00f1os en la superficie y la subsuperficie.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Almohadilla de rectificado Hongwei<\/strong>: garantiza una distribuci\u00f3n estable de la presi\u00f3n para evitar la deformaci\u00f3n de las obleas durante el rectificado, controlando con precisi\u00f3n la variaci\u00f3n de espesor (TTV) y la deformaci\u00f3n, lo que establece una base s\u00f3lida para los procesos posteriores.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>L\u00edquido de pulido con nanodiamantes<\/strong>: Dise\u00f1ado espec\u00edficamente para materiales de alta dureza, esta f\u00f3rmula emplea la modificaci\u00f3n de la estructura superficial y part\u00edculas esf\u00e9ricas de diamante para reducir sustancialmente los ara\u00f1azos y las tensiones residuales del pulido, aliviando as\u00ed la carga de los procesos CMP posteriores.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Revestimiento CMP<\/strong>: Durante el proceso CMP, el revestimiento utiliza diamantes u otras part\u00edculas de alta dureza para revestir con precisi\u00f3n la almohadilla de pulido, eliminando residuos y dep\u00f3sitos qu\u00edmicos, restaurando la rugosidad de la superficie y evitando el vidriado causado por el uso a largo plazo que afecta la eficiencia de eliminaci\u00f3n.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"cmp-&#x62CB;&#x5149;&#xFF1A;&#x5BE6;&#x73FE;&#x8D85;&#x5E73;&#x5766;&#x7121;&#x640D;&#x8868;&#x9762;\">Pulido CMP: c\u00f3mo conseguir superficies ultraplanas y sin da\u00f1os<\/h3>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">El rendimiento de los dispositivos SiC y GaN depende en gran medida de la planitud de la superficie de la oblea y del control de defectos. Las soluciones de pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico (CMP) de Hongwei est\u00e1n dise\u00f1adas espec\u00edficamente para el pulido de grado espejo de semiconductores compuestos:<\/p>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Almohadilla de pulido CMP de cinco capas<\/strong>: con un innovador dise\u00f1o de estructura de cinco capas, ofrece una rigidez y una capacidad de regulaci\u00f3n de la presi\u00f3n excepcionales, lo que permite controlar eficazmente las tasas de eliminaci\u00f3n de material para garantizar la uniformidad de la superficie. Su dise\u00f1o de textura microporosa y ranurada mejora el flujo de la pasta abrasiva y reduce el riesgo de ara\u00f1azos.<\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>Afiladora CMP<\/strong>: Utiliza part\u00edculas de alta dureza, como el diamante, para afilar con precisi\u00f3n la almohadilla de pulido, eliminando los residuos generados durante el procesamiento. Esto evita la aparici\u00f3n de esmalte, lo que garantiza que la almohadilla de pulido mantenga una fuerza de corte y una eficiencia de eliminaci\u00f3n constantes.<\/li>\n<\/ul>\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\" id=\"&#x62CB;&#x5149;&#x6DB2;&#xFF1A;&#x7CBE;&#x6E96;&#x5316;&#x5B78;&#x8755;&#x523B;&#x8207;&#x6750;&#x6599;&#x9078;&#x64C7;&#x6027;\">Soluci\u00f3n de pulido: grabado qu\u00edmico de precisi\u00f3n y selectividad de materiales<\/h3>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">En los procesos CMP para SiC y GaN, el grabado qu\u00edmico y la selectividad de los materiales son factores cr\u00edticos que determinan la calidad final de la superficie. Hongwei ofrece formulaciones personalizadas para garantizar un alto rendimiento y bajos \u00edndices de defectos:<\/p>\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\" style=\"line-height:2\"><strong>L\u00edquido especializado para pulido con diamante<\/strong>: Dise\u00f1ado espec\u00edficamente para el pulido de semiconductores compuestos, incorpora optimizaci\u00f3n de la microestructura superficial y part\u00edculas esf\u00e9ricas de diamante. Minimiza eficazmente los ara\u00f1azos de procesamiento y los da\u00f1os subsuperficiales para lograr un pulido no destructivo, lo que mejora la disipaci\u00f3n t\u00e9rmica y la fiabilidad de los dispositivos de potencia.<\/li>\n<\/ul>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">En resumen, Hongwei Precision ofrece soluciones de proceso de alto rendimiento y baja tasa de defectos dise\u00f1adas espec\u00edficamente para SiC y GaN mediante la integraci\u00f3n de consumibles clave, como pasta abrasiva de diamante, muelas abrasivas especializadas y almohadillas de pulido CMP. Esto acelera la producci\u00f3n en masa y la aplicaci\u00f3n de estos materiales avanzados en dispositivos de potencia, comunicaciones de RF y sectores de embalaje avanzado.<\/p>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-ed5654ec5dfde75aab75c69a528ff581\" id=\"&#x78B3;&#x5316;&#x77FD;&#x8207;&#x6C2E;&#x5316;&#x93B5;&#x7684;&#x5EE3;&#x95CA;&#x524D;&#x666F;&#x8207;&#x62CB;&#x5149;&#x6280;&#x8853;&#x7684;&#x6301;&#x7E8C;&#x5275;&#x65B0;\">Las amplias perspectivas del carburo de silicio y el nitruro de galio y la innovaci\u00f3n continua en la tecnolog\u00eda de pulido<\/h2>\n\n<figure class=\"wp-block-image size-large\"><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/&#x534A;&#x5C0E;&#x9AD4;&#x7CBE;&#x5BC6;&#x88FD;&#x7A0B;&#x7684;&#x79D8;&#x5BC6;&#x6B66;&#x5668;&#xFF1A;&#x947D;&#x77F3;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x8017;&#x6750;&#xFF0C;&#x9AD8;&#x6548;&#x63D0;&#x5347;&#x6676;&#x5713;&#x826F;&#x7387;&#x8207;&#x6548;&#x80FD;&#xFF01;_&#x5DE5;&#x4F5C;&#x5340;&#x57DF;-1-&#x8907;&#x672C;-3.avif\"><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/honwaygroup.com\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/&#x534A;&#x5C0E;&#x9AD4;&#x7CBE;&#x5BC6;&#x88FD;&#x7A0B;&#x7684;&#x79D8;&#x5BC6;&#x6B66;&#x5668;&#xFF1A;&#x947D;&#x77F3;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x8017;&#x6750;&#xFF0C;&#x9AD8;&#x6548;&#x63D0;&#x5347;&#x6676;&#x5713;&#x826F;&#x7387;&#x8207;&#x6548;&#x80FD;&#xFF01;_&#x5DE5;&#x4F5C;&#x5340;&#x57DF;-1-&#x8907;&#x672C;-3-1024x630.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-122115\" \/><\/a><\/figure>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">Con la creciente demanda de componentes de alta potencia y alta frecuencia, las perspectivas de aplicaci\u00f3n del SiC y el GaN se est\u00e1n ampliando significativamente. El SiC, gracias a sus caracter\u00edsticas de alta eficiencia y bajo consumo energ\u00e9tico, se ha convertido en un componente fundamental de la infraestructura de recarga de veh\u00edculos el\u00e9ctricos y de los sistemas de alimentaci\u00f3n a bordo. El GaN, con sus capacidades de alta frecuencia y baja p\u00e9rdida de potencia, se utiliza ampliamente en los m\u00f3dulos de radiofrecuencia 5G de \u00faltima generaci\u00f3n y en los amplificadores de potencia de radiofrecuencia. Adem\u00e1s, ambos materiales demuestran una resistencia excepcional a las altas temperaturas, tolerancia a la radiaci\u00f3n y capacidad para manejar alta potencia en campos de vanguardia como el aeroespacial, las comunicaciones por sat\u00e9lite y los sistemas de radar de alta energ\u00eda.<\/p>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\">En respuesta a la r\u00e1pida expansi\u00f3n de las demandas de aplicaci\u00f3n, las tecnolog\u00edas de rectificado y pulido deben seguir avanzando. Los retos futuros incluyen lograr un procesamiento uniforme de obleas de SiC de gran tama\u00f1o, un control preciso de los defectos en las obleas heteroepitaxiales de GaN y la realizaci\u00f3n de un pulido a nanoescala con bajo nivel de da\u00f1os. Al mismo tiempo, la integraci\u00f3n de procesos inteligentes con control automatizado ser\u00e1 fundamental para mejorar la eficiencia, la estabilidad y las tasas de rendimiento. Hongwei seguir\u00e1 invirtiendo en I+D, integrando consumibles patentados con procesos inteligentes para impulsar la innovaci\u00f3n en las tecnolog\u00edas de pulido de SiC y GaN, facilitando as\u00ed la producci\u00f3n en masa de componentes semiconductores de alto rendimiento.<\/p>\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\" \/>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-b982b1b31b1fd374cd53025b77552d67\" id=\"&#x66F4;&#x591A;&#x5B8F;&#x5D34;&#x947D;&#x77F3;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x8017;&#x6750;&#x8CC7;&#x8A0A;\">M\u00e1s informaci\u00f3n sobre los consumibles de pulido y rectificado de diamantes Hongway<\/h2>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\"><strong>Para obtener m\u00e1s informaci\u00f3n sobre c\u00f3mo Honway puede aportar beneficios innovadores a sus procesos de fabricaci\u00f3n de semiconductores, haga clic en el siguiente enlace para explorar nuestra gama completa de consumibles para pulido y esmerilado de diamantes y detalles tecnol\u00f3gicos:<\/strong><\/p>\n\n<ul class=\"wp-block-list has-medium-font-size\">\n<li><strong><a href=\"\/?product_cat=&#x7814;&#x78E8;&#x6DB2;\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product-category\/%e7%a0%94%e7%a3%a8%e6%b6%b2\/\">Serie de l\u00edquidos para pulir diamantes nano de Hongway<\/a><\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><strong><a href=\"\/?product_cat=&#x91D1;&#x76F8;&#x62CB;&#x5149;&#x588A;\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product-category\/%e9%87%91%e7%9b%b8%e8%80%97%e6%9d%90\/%e9%87%91%e7%9b%b8%e6%8b%8b%e5%85%89%e5%a2%8a\/\">Almohadillas de pulido y rectificado de obleas de precisi\u00f3n Hongway<\/a><\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><strong><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/product\/muelas-abrasivas-para-rectificado-de-superficies-de-obleas\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product\/%e6%99%b6%e5%9c%93%e5%b9%b3%e9%9d%a2%e7%a3%a8%e5%89%8a%e7%94%a8%e7%a0%82%e8%bc%aa\/\">Muela de rectificado de superficies de obleas Hongway<\/a><\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><strong><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/product\/muela-de-rectificado-de-chaflan-para-obleas-de-silicio\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product\/%e7%9f%bd%e6%99%b6%e5%9c%93%e7%94%a8%e5%80%92%e8%a7%92%e7%a3%a8%e5%89%8a%e7%a0%82%e8%bc%aa\/\">Muela abrasiva para chaflanes de obleas de silicio Hongway<\/a><\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><strong><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/product\/cuchillo-de-trazado-para-electroformado-de-obleas-hwd25\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product\/hwd25-%e6%99%b6%e5%9c%93%e9%9b%bb%e9%91%84%e5%88%92%e7%89%87%e5%88%80\/\">Cuchillo rebanador de obleas electroformadas Hongway<\/a><\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product\/hwe25-%e6%99%b6%e5%9c%93%e5%b0%81%e8%a3%9d%e5%88%92%e7%89%87%e5%88%80-%e8%bb%9f%e5%88%80\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product\/hwe25-%e6%99%b6%e5%9c%93%e5%b0%81%e8%a3%9d%e5%88%92%e7%89%87%e5%88%80-%e8%bb%9f%e5%88%80\/\"><strong>Cuchillo para cortar obleas Hongwei &#8211; cuchillo blando<\/strong><\/a><\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/product\/cuchillo-rebanador-para-empaquetado-de-obleas-hws25-cuchillo-duro\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/product\/hws25-%e6%99%b6%e5%9c%93%e5%b0%81%e8%a3%9d%e5%88%92%e7%89%87%e5%88%80-%e7%a1%ac%e5%88%80\/\"><strong>Cuchillo para cortar obleas Hongwei &#8211; cuchillo duro<\/strong><\/a><\/li>\n<\/ul>\n\n<p class=\"has-medium-font-size\"><strong>Tambi\u00e9n puede comunicarse directamente con nuestro equipo de expertos de Hongwei y le brindaremos la consulta y las soluciones personalizadas m\u00e1s profesionales.<\/strong><\/p>\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\" \/>\n\n<h2 class=\"wp-block-heading has-ast-global-color-0-color has-text-color has-link-color wp-elements-0c705da9140047cd249771987b75ad3b\" id=\"&#x95B1;&#x8B80;&#x66F4;&#x591A;&#x76F8;&#x95DC;&#x8B70;&#x984C;\">Leer m\u00e1s sobre temas relacionados<\/h2>\n\n<ol class=\"wp-block-list\">\n<li class=\"has-medium-font-size\">Sustrato de diamante&gt;&gt;&gt;<a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%be%9e%e7%8f%a0%e5%af%b6%e5%88%b0%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%ef%bc%9a%e9%91%bd%e7%9f%b3%e6%88%90%e7%82%ba%e6%96%b0%e4%b8%96%e4%bb%a3%e5%b0%8e%e7%86%b1%e6%9d%90%e6%96%99%e7%9a%84%e9%97%9c%e9%8d%b5\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%be%9e%e7%8f%a0%e5%af%b6%e5%88%b0%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%ef%bc%9a%e9%91%bd%e7%9f%b3%e6%88%90%e7%82%ba%e6%96%b0%e4%b8%96%e4%bb%a3%e5%b0%8e%e7%86%b1%e6%9d%90%e6%96%99%e7%9a%84%e9%97%9c%e9%8d%b5\/\">De la joyer\u00eda a los semiconductores: el diamante juega un papel clave en la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de materiales conductores t\u00e9rmicos.<\/a><\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\">Semiconductor compuesto &gt;&gt;&gt;<a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%e7%b2%be%e5%af%86%e8%a3%bd%e7%a8%8b%e7%9a%84%e7%a7%98%e5%af%86%e6%ad%a6%e5%99%a8\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%e7%b2%be%e5%af%86%e8%a3%bd%e7%a8%8b%e7%9a%84%e7%a7%98%e5%af%86%e6%ad%a6%e5%99%a8\/\">El arma secreta de la fabricaci\u00f3n de precisi\u00f3n de semiconductores: consumibles para pulido y esmerilado de diamantes, que mejoran eficazmente el rendimiento y el desempe\u00f1o de las obleas.<\/a><\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\">Rectificado y pulido de semiconductores&gt;&gt;&gt;<a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%e8%a3%bd%e7%a8%8b%e4%b8%ad%e7%9a%84%e7%a0%94%e7%a3%a8%e6%8b%8b%e5%85%89%ef%bc%9a%e5%be%9e%e6%9d%90%e6%96%99%e9%81%b8%e6%93%87%e5%88%b0%e8%80%97%e6%9d%90%e8%b3%a6%e8%83%bd\/\">Rectificado y pulido en la fabricaci\u00f3n de semiconductores: desde la selecci\u00f3n de materiales hasta la habilitaci\u00f3n de consumibles para procesos excelentes<\/a><\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\">Consumibles para rectificado y pulido&gt;&gt;&gt;<a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%89%b5%e6%96%b0%e7%a0%94%e7%a3%a8%e6%8b%8b%e5%85%89%e8%80%97%e6%9d%90%ef%bc%9a%e9%a9%85%e5%8b%95%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%e7%94%a2%e6%a5%ad%e9%82%81%e5%90%91%e6%9b%b4%e9%ab%98%e7%b2%be%e5%af%86\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%89%b5%e6%96%b0%e7%a0%94%e7%a3%a8%e6%8b%8b%e5%85%89%e8%80%97%e6%9d%90%ef%bc%9a%e9%a9%85%e5%8b%95%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%e7%94%a2%e6%a5%ad%e9%82%81%e5%90%91%e6%9b%b4%e9%ab%98%e7%b2%be%e5%af%86\/\">Consumibles innovadores para rectificado y pulido: impulsando la industria de semiconductores hacia una mayor precisi\u00f3n<\/a><\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\">La clave para obtener obleas ultraplanas &gt;&gt;&gt;<a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e9%ab%94%e7%a0%94%e7%a3%a8%e6%8b%8b%e5%85%89%e7%9a%84%e3%80%8c%e8%96%84%e3%80%8d%e5%ad%b8%e5%95%8f%ef%bc%9a%e5%af%a6%e7%8f%be%e8%b6%85%e5%b9%b3%e5%9d%a6%e6%99%b6%e5%9c%93%e7%9a%84\/\">La ciencia \u00abdelgada\u00bb del rectificado y pulido de semiconductores: La clave para lograr obleas ultraplanas<\/a><\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\">Integraci\u00f3n heterog\u00e9nea y empaquetado avanzado &gt;&gt;&gt;<a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/abrazando-el-futuro-como-los-consumibles-de-rectificado-y-pulido-respaldan-la-integracion-heterogenea-y-el-embalaje-avanzado\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/&#x8FCE;&#x6230;&#x672A;&#x4F86;&#xFF1A;&#x7814;&#x78E8;&#x62CB;&#x5149;&#x8017;&#x6750;&#x5982;&#x4F55;&#x52A9;&#x529B;&#x7570;&#x8CEA;&#x6574;&#x5408;&#x8207;&#x5148;&#x9032;\/\">De cara al futuro: c\u00f3mo ayudan los consumibles de rectificado y pulido Integraci\u00f3n heterog\u00e9nea y empaquetado avanzado<\/a><\/li>\n\n\n\n<li class=\"has-medium-font-size\">Pulido de semiconductores compuestos&gt;&gt;&gt;<a href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/dominando-la-tecnologia-de-pulido-de-semiconductores-compuestos-habilitando-un-alto-rendimiento-en-componentes-electronicos-de-proxima-generacion\/\" data-type=\"link\" data-id=\"https:\/\/honwaygroup.com\/&#x638C;&#x63E1;&#x5316;&#x5408;&#x7269;&#x534A;&#x5C0E;&#x9AD4;&#x62CB;&#x5149;&#x6280;&#x8853;&#xFF1A;&#x5BE6;&#x73FE;&#x65B0;&#x4E16;&#x4EE3;&#x96FB;&#x5B50;&#x5143;&#x4EF6;\/\">Dominio de la tecnolog\u00eda de pulido de semiconductores compuestos: logro de un alto rendimiento en componentes electr\u00f3nicos de \u00faltima generaci\u00f3n.<\/a><\/li>\n<\/ol>\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity is-style-wide\" \/>\n\n<p>En t\u00e9rminos de molienda, ofrecemos ajustes personalizados y podemos ajustar la proporci\u00f3n seg\u00fan los requisitos de procesamiento para lograr la m\u00e1xima eficiencia.<\/p>\n\n<p>Si despu\u00e9s de leer el texto a\u00fan no sabes c\u00f3mo elegir el m\u00e1s adecuado.<\/p>\n\n<p style=\"line-height:0.8\">Bienvenido a contactarnos, tendremos alguien para responder sus preguntas.<\/p>\n\n<p style=\"line-height:0.8\">Si necesita un presupuesto personalizado, p\u00f3ngase en contacto con nosotros.<\/p>\n\n<p style=\"line-height:0.8\">Horario de atenci\u00f3n al cliente: lunes a viernes de 09:00 a 18:00<\/p>\n\n<p style=\"line-height:0.8\">Tel\u00e9fono: <a href=\"https:\/\/www.google.com\/search?q=%E5%AE%8F%E5%B4%B4&amp;oq=%E5%AE%8F%E5%B4%B4&amp;gs_lcrp=EgZjaHJvbWUqBggAEEUYOzIGCAAQRRg7MhAIARAuGK8BGMcBGIAEGI4FMgYIAhBFGDsyBwgDEAAYgAQyBggEEEUYPTIGCAUQRRg9MgYIBhBFGD0yBggHEEUYQdIBCDE5MDhqMGo3qAIIsAIB&amp;sourceid=chrome&amp;ie=UTF-8\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener nofollow\">07 223 1058<\/a><\/p>\n\n<p style=\"line-height:0.8\">Si tienes alguna duda o pregunta sobre el n\u00famero de tel\u00e9fono, no dudes en enviar un mensaje privado a Facebook~~<\/p>\n\n<p style=\"line-height:0.8\">Facebook de Honway: <a href=\"https:\/\/lihi.cc\/LhR8c\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener nofollow\">https:\/\/www.facebook.com\/honwaygroup<\/a><\/p>\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\" \/>\n\n<div class=\"wp-block-buttons is-layout-flex wp-block-buttons-is-layout-flex\">\n<div class=\"wp-block-button\"><a class=\"wp-block-button__link has-ast-global-color-0-background-color has-background wp-element-button\" href=\"https:\/\/honwaygroup.com\/%e5%8e%9f%e7%89%a9%e6%96%99-2\/\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\">Somos Hongway. Controlamos nuestras materias primas desde el origen para garantizar la calidad de nuestros productos y ofrecerle opciones personalizadas.<\/a><\/div>\n<\/div>\n\n<div style=\"height:100px\" aria-hidden=\"true\" class=\"wp-block-spacer\"><\/div>\n\n<p>Art\u00edculos que te pueden interesar&#8230;<\/p>\n\n<div class=\"wp-block-columns is-layout-flex wp-container-core-columns-is-layout-28f84493 wp-block-columns-is-layout-flex\">\n<div class=\"wp-block-column is-layout-flow wp-block-column-is-layout-flow\" style=\"flex-basis:100%\"><p>[wpb-random-posts]<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>El carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), como semiconductores de banda ancha de \u00faltima generaci\u00f3n (WBGS), est\u00e1n revolucionando el panorama de aplicaciones de los materiales de silicio tradicionales. Entre sus ventajas se incluyen su capacidad para soportar altas temperaturas, altos voltajes, altas frecuencias y bajas p\u00e9rdidas, lo que los hace especialmente adecuados para aplicaciones de alto rendimiento, como veh\u00edculos el\u00e9ctricos, comunicaciones 5G\/6G, energ\u00edas renovables y carga r\u00e1pida. En comparaci\u00f3n con el silicio, el carburo de silicio y el nitruro de galio mantienen un funcionamiento estable en condiciones m\u00e1s extremas, al tiempo que reducen sustancialmente la disipaci\u00f3n de energ\u00eda, lo que impulsa a la industria mundial de semiconductores hacia una nueva fase.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":122133,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"disabled","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[10336,10331,10337],"tags":[10339],"class_list":["post-124446","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-aula-de-ciencias","category-columna-de-conocimiento","category-tecnologia-de-pulido-y-rectificado-de-semiconductores","tag-semiconductor-es"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/124446","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=124446"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/124446\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/122133"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=124446"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=124446"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/honwaygroup.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=124446"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}